[發明專利]導電薄膜、其制備方法及應用

無效

• 申請號: 201210351628.7
• 申請日: 2012-09-20
• 公開（公告）號: CN103668065A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/28;H01L51/56;H05B33/00
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及半導體光電材料，特別是涉及導電薄膜、其制備方法、使用該導電薄膜的有機電致發光器件的基板、其制備方法及有機電致發光器件。

背景技術

導電薄膜電極是有機電致發光器件（OLED）的基礎構件，其性能的優劣直接影響著整個器件的發光效率。其中，透明導電薄膜是把光學透明性能與導電性能復合在一體的光電材料，由于其具有優異的光電特性，成為近年來的研究熱點和前沿課題，可廣泛應用于太陽能電池，LED，TFT，LCD及觸摸屏等屏幕顯示領域。隨著器件性能要求的提高，用于作為器件陽極的透明導電膜的性能也在要求提高。對于器件出光效率的需要，很多研究機構都在設法在陽極與基板之間插入散射層。

高性能的器件，還要求陽極有較高的表面功函數，使其與其他功能層的能級相匹配，降低勢壘，提高載流子注入效率，最終達到高的電光效率。

發明內容

基于此，有必要提供一種功函數較高的導電薄膜、其制備方法、使用該導電薄膜的有機電致發光器件的基板、其制備方法及有機電致發光器件。

一種導電薄膜，包括層疊的GAZO層及ReO₃層，其中，GAZO層為氧化鎵，氧化鋁和氧化鋅摻雜的薄膜層。

一種導電薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將GAZO靶材、ReO₃靶材及襯底裝入脈沖激光沉積設備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa，GAZO靶材為氧化鎵，氧化鋁和氧化鋅摻雜靶材；

在所述襯底表面沉積GAZO層，沉積所述GAZO層的工藝參數為：基靶間距為45mm~95mm，脈沖激光功率為80W~300W，工作壓強3Pa~30Pa，工作氣體的流量為10sccm~40sccm，襯底溫度為250℃~750℃；

在所述GAZO層表面沉積ReO₃層，沉積所述GAZO層的工藝參數為：基靶間距為45mm~95mm，脈沖激光功率為80W~300W，工作壓強3Pa~30Pa，工作氣體的流量為10sccm~40sccm，襯底溫度為250℃~750℃；及

剝離所述襯底，得到所述導電薄膜。

在其中一個實施例中，所述GAZO層的厚度為50nm~300nm，所述ReO₃層的厚度為3nm~20nm。

在其中一個實施例中，所述GAZO靶材由以下步驟得到：按照各組份摩爾比為（0.1~10）：（0.3~15）：（75~99.6）將Ga₂O₃，Al₂O₃和ZnO粉體混合均勻，將混合均勻的粉體在900℃~1300℃下燒結制成靶材。

在其中一個實施例中，所述ReO₃靶材由以下步驟得到：將ReO₃粉體在700℃~1100℃下燒結制成靶材。

一種有機電致發光器件的基板，包括依次層疊的襯底、GAZO層及ReO₃層，其中，GAZO層為氧化鎵，氧化鋁和氧化鋅摻雜的薄膜層。

一種有機電致發光器件的基板的制備方法，包括以下步驟：

將GAZO靶材、ReO₃靶材及襯底裝入脈沖激光沉積設備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa~1.0×10^-5Pa，GAZO靶材為氧化鎵，氧化鋁和氧化鋅摻雜靶材；

在所述襯底表面沉積GAZO層，沉積所述GAZO層的工藝參數為：基靶間距為45mm~95mm，脈沖激光功率為80W~300W，工作壓強3Pa~30Pa，工作氣體的流量為10sccm~40sccm，襯底溫度為250℃~750℃；及

在所述GAZO層表面沉積ReO₃層，沉積所述ReO₃層的工藝參數為：基靶間距為45mm~95mm，脈沖激光功率為80W~300W，工作壓強3Pa~30Pa，工作氣體的流量為10sccm~40sccm，襯底溫度為250℃~750℃。

在其中一個實施例中，所述GAZO靶材由以下步驟得到：按照各組份摩爾比為（0.1~10）：（0.3~15）：（75~99.6）將Ga₂O₃，Al₂O₃和ZnO粉體混合均勻，將混合均勻的粉體在900℃~1300℃下燒結制成靶材。