[發(fā)明專利]一種LED芯片的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210351625.3
• 申請日: 2012-09-20
• 公開（公告）號: CN102856448A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 虞浩輝;周宇杭
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇威納德照明科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種LED芯片的制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

（1）、在藍(lán)寶石襯底上制作掩蔽層，掩蔽層為Si₃N₄；

（2）、在所述掩蔽層上制作光刻膠圖案，所述光刻膠圖案在掩蔽層表面形成多個(gè)單元，各單元之間有部分掩蔽層露出；

（3）、在露出的掩蔽層上進(jìn)行激光刻線，劃至所述藍(lán)寶石襯底，形成釋放應(yīng)力線，該釋放應(yīng)力線將藍(lán)寶石襯底劃分為多個(gè)芯片單元；激光刻線所采用的激光波長為200-400nm，釋放應(yīng)力線寬度為2-15微米，劃線深度為15-50微米；

（4）、去除所述光刻膠圖案；

（5）、以所述掩蔽層作為保護(hù)層，使用磷酸、硫酸的混合液對釋放應(yīng)力線側(cè)壁進(jìn)行腐蝕，清除劃線生成物；

（6）、使用清洗液去除所述掩蔽層；

（7）、在上述步驟得到的表面具有釋放應(yīng)力線的藍(lán)寶石襯底上生長GaN基半導(dǎo)體外延層，該半導(dǎo)體外延層至少包括N型半導(dǎo)體層、位于所述N型半導(dǎo)體層之上的有源層，以及位于所述有源層之上的P型半導(dǎo)體層；

（8）、對每個(gè)芯片單元進(jìn)行刻蝕，以露出部分所述N型GaN層，然后在露出的N型GaN層上制作N電極、在P型GaN層上制作透明電極和P電極；

（9）在芯片表面制作鈍化層，并露出N電極和P電極得到LED晶片；對LED晶片進(jìn)行背面研磨減薄，再裂片得到LED芯片。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩蔽層厚度為6～8微米。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（3）中的激光波長為355nm，釋放應(yīng)力線寬度為6微米，劃線深度為25微米。如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（4）中采用去膜劑清洗，清洗時(shí)間為10-20分鐘。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（5）中的磷酸、硫酸的體積比為1：3，腐蝕溫度為300-350℃，腐蝕時(shí)間為50-60分鐘。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（6）中的清洗液為氫氟酸。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，制備半導(dǎo)體外延層時(shí)，可采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、分子束外延、氫化物氣相外延等技術(shù)。