[發明專利]一種多吸收層橫向分布的非晶硅太陽能電池無效
| 申請號: | 201210351455.9 | 申請日: | 2012-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN102856420A | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發明(設計)人: | 劉爽;曲鵬程;魏廣路;吳易龍;何存玉;張林;熊流峰;劉颯;鐘智勇;劉永 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | H01L31/076 | 分類號: | H01L31/076;H01L31/0352;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 溫利平 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 吸收 橫向 分布 非晶硅 太陽能電池 | ||
1.一種多吸收層橫向分布的非晶硅太陽能電池,其結構包括從上往下包括依次層疊的透明玻璃襯底(2),TCO透明導電膜(3),P型半導體層(4),緩沖層(5),非晶硅光吸收層(6),N型半導體層(7),金屬電極(8);其中所述非晶硅光吸收層(6)由多個光學帶隙寬度依次增加或減少的非晶硅光吸收子層橫向并排分布而成,橫向并排分布的多個非晶硅光吸收子層與其他層結構一起構成多個子電池并聯的非晶硅太陽能電池;在透明玻璃襯底(2)的上方還具有一個分光譜系統(1),所述分光譜系統(1)將太陽光分為波長不同的多部分,分別投射到與該部分入射光波長相匹配的子電池上。
2.根據權利要求1所述的多吸收層橫向分布的非晶硅太陽能電池,其特征在于,所述多個非晶硅光吸收子層具有相同的厚度,多個非晶硅光吸收子層之間不同的光學帶隙寬度通過在非晶硅材料中摻雜予以實現。
3.根據權利要求2所述的多吸收層橫向分布的非晶硅太陽能電池,其特征在于,在非晶硅材料中摻雜的摻雜元素為Ge、C、N、Cl或F。
4.根據權利要求3所述的多吸收層橫向分布的非晶硅太陽能電池,其特征在于,多個非晶硅光吸收子層之間不同的光學帶隙寬度通過不同的摻雜元素予以實現。
5.根據權利要求3所述的多吸收層橫向分布的非晶硅太陽能電池,其特征在于,多個非晶硅光吸收子層之間不同的光學帶隙寬度通過同一摻雜元素不同的摻雜量予以實現。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





