[發明專利]一種GaN基LED外延片的生長方法在審
| 申請號： | 201210351407.X | 申請日： | 2012-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN105118900A | 公開（公告）日： | 2015-12-02 |
| 發明（設計）人： | 肖志國;關秋云;楊天鵬;展望;張博;武勝利 | 申請（專利權）人： | 大連美明外延片科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 116025 *** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan led 外延 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaN基LED外延片的生長方法，包括下列步驟：
（1）將襯底放入反應室中，在H2氣氛下對襯底進行高溫凈化；
（2）生長低溫GaN緩沖層；
（3）生長非摻雜GaN層；
（4）生長n型GaN層；
（5）生長InGaN/GaN多量子阱層；
（6）生長p型AlGaN層；
（7）生長p型GaN層；
（8）生長高摻雜p型GaN電極接觸層；
（9）N2環境下退火10分鐘；
（10）降溫至室溫，生長結束；
其特征在于：進行步驟（5）生長InGaN/GaN多量子阱層時，在生長InGaN阱層過程中向反應室內通入氫氣，通入氫氣的持續時間小于等于InGaN阱層的生長時間；通入氫氣的流量為0.01slm～10slm。
2.如權利要求1所述的GaN基LED外延片的生長方法，其特征在于：通入氫氣的持續時間為0.1分鐘～5分鐘。
3.如權利要求1或2所述的GaN基LED外延片的生長方法，其特征在于：InGaN/GaN多量子阱層的循環數目為1～50個；單個InGaN/GaN量子阱的厚度為1～30nm。
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