[發(fā)明專利]用于電隔離的信號傳輸?shù)陌雽?dǎo)體裝置以及用于制造此類裝置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210351064.7
• 申請日: 2012-09-19
• 公開（公告）號: CN103117267A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 烏韋·瓦爾
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/02
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;李慧

1.用于電隔離的信號傳輸?shù)陌雽?dǎo)體裝置，具有

人工芯片，其中，具有電路結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片在除了其基面之外的所有其它面上如此嵌入電絕緣的填料，即所述人工芯片的基面由于所述填料與所述半導(dǎo)體芯片的基面相比變大；

薄膜基底，被施加到放大的所述基面上并且同時越過所述半導(dǎo)體芯片的基面延伸到放大的所述基面內(nèi)，其中，所述基底具有至少兩個由絕緣材料制成的涂層，在所述涂層之間設(shè)置有結(jié)構(gòu)化的金屬化層；

第一線圈，通過一個或多個相應(yīng)結(jié)構(gòu)化的金屬化層形成在所述基底內(nèi)；以及

第二線圈，通過一個或多個相應(yīng)結(jié)構(gòu)化的金屬化層如此形成在所述基底內(nèi)或者通過相應(yīng)形成的電路結(jié)構(gòu)如此形成在所述半導(dǎo)體芯片內(nèi)或者所述人工芯片外，即所述第二線圈與所述第一線圈磁耦合和/或電容耦合但與所述第一線圈電隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一線圈形成在與所述半導(dǎo)體芯片最近的金屬化層內(nèi)，并且所述第二線圈形成在所述半導(dǎo)體芯片的電路結(jié)構(gòu)中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述基底具有至少兩個金屬化層，并且所述第一線圈和所述第二線圈分別形成在其中一個所述金屬化層內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述基底具有至少三個金屬化層，并且所述第一線圈、所述第二線圈和至少一個第三線圈分別形成在其中一個金屬化層內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，形成在載體的所述金屬化層內(nèi)的所述線圈與所述層平面相垂直地上下重疊地堆疊地布置。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述基底的所述電絕緣涂層是含硅的介電層。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，具有線圈的所述金屬化層具有至少6μm的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，具有線圈的所述金屬化層具有至少10μm的厚度。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，至少一個位于載體里的線圈具有比所述芯片更大的橫截面。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，至少一個實現(xiàn)在所述基底的金屬化層里的線圈與所述半導(dǎo)體芯片電連接。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置是采用晶圓級球柵陣列技術(shù)或嵌入式晶圓級球柵陣列技術(shù)生產(chǎn)出來的并且載體里的所述金屬化層是再分配層。

12.用于制造根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的方法，其步驟為：

將具有電路結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片如此嵌入電絕緣的填料，即所述半導(dǎo)體芯片在除了其基面之外的所有其它面上被嵌入電絕緣的填料，以產(chǎn)生人工芯片，以便所述人工芯片的基面與所述半導(dǎo)體芯片的基面相比變大，

將第一介電層施加到所述人工芯片上，

將晶種層施加到所述第一介電層上，

將金屬化層施加到所述晶種層上，

在所述金屬化層中蝕刻出至少一個線圈狀結(jié)構(gòu)，以及

將第二介電層施加到結(jié)構(gòu)化的金屬化層上。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，在所述第一介電層里設(shè)置有空隙，所述金屬化層與所述半導(dǎo)體芯片在所述空隙處電連接。

14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中，在所述第二介電層里設(shè)置有空隙，所述金屬化層與外部的接觸元件在所述空隙處電連接。