[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法以及形成導電部件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210350994.0
• 申請日: 2012-09-19
• 公開（公告）號: CN103378052A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設計）人: 楊慧君;陳美玲;林耕竹;劉中偉
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/3205
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體器件，包括：

絕緣材料層，設置在工件上方，所述絕緣材料層包含具有約13％以上的碳(C)的含硅材料；以及

導電部件，設置在所述絕緣材料層內，所述導電部件包括在其頂面上設置的保護層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體器件還包括在所述工件上方設置的低介電常數(k)介電材料層，所述低k介電材料層的k值大約小于二氧化硅(SiO₂)的k值，其中，所述絕緣材料層包括在所述低k介電材料層上方設置的保護蓋層，并且所述導電部件的一部分還設置在所述低k介電材料層內。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述保護蓋層還包含氮(N)。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述保護蓋層的總碳氮百分比為至少約50％。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述保護蓋層的厚度約為4至200nm。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述絕緣材料層包括低介電常數(k)介電材料層，所述低k介電材料層的k值大約小于二氧化硅(SiO₂)的k值，并且所述低k介電材料層包含分別具有約60％以上的SiC或SiCN的富SiC材料或富SiCN材料。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述工件上方設置的蝕刻終止層以及在所述蝕刻終止層上方設置的原硅酸四乙酯(TEOS)層，其中，所述絕緣材料層設置在所述TEOS層上方，并且所述導電部件還設置在所述TEOS層內。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述導電部件還形成在所述蝕刻終止層的至少一部分內。

9.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在工件上方形成絕緣材料層，所述絕緣材料層包含具有約13％以上的碳(C)的富碳化硅(SiC)材料；

圖案化所述絕緣材料層；

在圖案化的絕緣材料層中形成導電部件；以及

在所述導電部件的頂面上形成保護層，其中，形成所述保護層包括形成選自基本上由Co、Rh、Ir、Fe、Ni和它們的組合所組成的組的材料。

10.一種形成半導體器件的導電部件的方法，所述方法包括：

提供工件；

在所述工件上方形成蝕刻終止層；

在所述蝕刻終止層上方形成第一絕緣材料層；

在所述第一絕緣材料層上方形成第二絕緣材料層，所述第二絕緣材料層包含具有約13％以上的碳(C)的富碳化硅(SiC)材料；

用導電部件的圖案來圖案化所述第一絕緣材料層和所述第二絕緣材料層；

在圖案化的第一絕緣材料層和圖案化的第二絕緣材料層上方形成襯墊；

在所述襯墊上方形成導電材料；

實施化學機械拋光(CMP)工藝，從所述第二絕緣材料層的頂面上方去除所述導電材料和所述襯墊并形成導電部件，所述導電部件包含保留在所述圖案化的第一絕緣材料層和所述圖案化的第二絕緣材料層中的所述導電材料和所述襯墊；以及

在所述導電部件的頂面上形成保護層，其中，形成所述保護層包括形成選自基本上由Co、Rh、Ir、Fe、Ni和它們的組合所組成的組的材料。