[發明專利]具有承載晶圓的晶圓組件

在審

• 申請號: 201210350992.1
• 申請日: 2012-09-19
• 公開（公告）號: CN103378067A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 黃義雄;劉恒信;李宏仁;林進祥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/68
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種晶圓組件，包括：

工藝晶圓，在所述工藝晶圓上形成集成電路；以及

承載晶圓，結合至所述工藝晶圓，所述承載晶圓具有至少一個對準標記。

2.根據權利要求1所述的晶圓組件，進一步包括：結合所述工藝晶圓和所述承載晶圓的結合粘合劑層。

3.根據權利要求1所述的晶圓組件，進一步包括：結合所述工藝晶圓和所述承載晶圓的外延層。

4.根據權利要求3所述的晶圓組件，其中，所述外延層的厚度在100埃到1000埃的范圍內。

5.根據權利要求1所述的晶圓組件，其中，所述工藝晶圓不具有對準標記。

6.根據權利要求1所述的晶圓組件，其中，所述承載晶圓具有多個對準標記，所述多個對準標記沿著所述承載晶圓的圓周等距離分布。

7.一種方法，包括：

結合具有集成電路的工藝晶圓和具有至少一個對準標記的承載晶圓，以形成晶圓組件；以及

使用所述承載晶圓的至少一個對準標記對準所述晶圓組件。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，通過使用位于所述工藝晶圓和所述承載晶圓之間的結合粘合劑層來執行結合。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，結合包括：

在所述工藝晶圓的下方或所述承載晶圓的上方生長外延層；

利用位于所述工藝晶圓和所述承載晶圓之間的所述外延層，將所述工藝晶圓和所述承載晶圓放置在一起；以及

退火。

10.一種晶圓組件，包括：

工藝晶圓，具有第一厚度且沒有對準標記，其中，集成電路形成在所述工藝晶圓上；以及

承載晶圓，具有第二厚度且結合至所述工藝晶圓，

其中，所述承載晶圓具有多個對準標記，所述多個對準標記沿著所述承載晶圓的圓周等距離分布，并且所述第一厚度小于所述第二厚度。