[發明專利]一種晶體硅片表面處理的方法有效
| 申請號： | 201210350933.4 | 申請日： | 2012-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN102856189A | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發明（設計）人： | 季靜佳;覃榆森;朱凡 | 申請（專利權）人： | 蘇州易益新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306 |
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| 地址： | 215104 江蘇省蘇州市吳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體 硅片 表面 處理 方法 | ||
1.一種晶體硅片表面絨面的制備方法，其特征在于，該晶體硅片表面絨面的制備方法包括以下步驟：
（1）對晶體硅片表面實施化學溶液腐蝕拋光，降低晶體硅片的表面粗糙度；
（2）對晶體硅片表面實施化學溶液腐蝕制絨，降低晶體硅片的表面反射率。
2.根據權利要求1所述的晶體硅片，其特征在于，所述的晶體硅片是鑄造單晶硅片，鑄造多晶硅片，直拉單晶硅片。
3.根據權利要求2所述的鑄造單晶硅片，其特征在于，在所述的鑄造單晶硅片上，多晶硅的面積占整個鑄造單晶硅片的面積1%到99%。
4.根據權利要求1所述的晶體硅片，其特征在于，所述的晶體硅片是N型晶體硅片，或者是P型晶體硅片。
5.根據權利要求1所述的化學溶液腐蝕拋光步驟，其特征在于，所述的化學溶液是堿性化學溶液，或者是酸性化學溶液。
6.根據權利要求5所述的化學溶液腐蝕拋光步驟，其特征在于，在所述的化學溶液腐蝕拋光步驟中，可以加入一種或多種添加劑。
7.根據權利要求1所述的化學溶液腐蝕拋光步驟，其特征在于，所述的化學溶液腐蝕拋光步驟的優化腐蝕時間在0.5分鐘到10分鐘之間。
8.根據權利要求1所述的降低晶體硅片的表面粗糙度，其特征在于，晶體硅片在所述的化學溶液腐蝕拋光步驟后，晶體硅片的平均反射率大于25%。
9.根據權利要求8所述的降低晶體硅片的表面粗糙度，其特征在于，晶體硅片在所述的化學溶液腐蝕拋光步驟后，優化的晶體硅片的平均反射率大于28%。
10.根據權利要求1所述的化學溶液腐蝕制絨步驟，其特征在于，腐蝕制絨步驟是采用堿性化學溶液來實現腐蝕制絨。
11.根據權利要求10所述的堿性化學溶液腐蝕制絨步驟，其特征在于，在所述的堿性化學溶液腐蝕制絨步驟中，至少在該堿性化學溶液中加入一種制絨添加劑。
12.根據權利要求10所述的堿性化學溶液腐蝕制絨步驟，其特征在于，優化制絨步驟時間在3分鐘到15分鐘之間。
13.根據權利要求1所述的一種晶體硅片表面絨面的制備方法，其特征在于，所述的制備方法在晶體硅表面制備平均尺寸為0.5到2微米的絨面。
14.根據權利要求1所述的一種晶體硅片表面絨面的制備方法，其特征在于，所述的制備方法的時間為5分鐘到15分鐘。
15.根據權利要求14所述的一種晶體硅片表面絨面的制備方法，其特征在于，所述的制備方法的優化時間為6分鐘到10分鐘。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
