[發明專利]一種三層結構的摻鉬TiO2光催化薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201210350730.5 | 申請日： | 2012-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN102836704A | 公開（公告）日： | 2012-12-26 |
| 發明（設計）人： | 沈杰;羅勝耘;顏秉熙 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | B01J23/28 | 分類號： | B01J23/28;B01J35/02;B01J37/34 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 三層 結構 tio sub 光催化 薄膜 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種三層結構的摻鉬TiO2光催化薄膜，其特征在于：底層為高濃度摻鉬TiO2薄膜，中間層為低濃度摻鉬TiO2薄膜，頂層為純TiO2薄膜；其中，所謂高濃度摻鉬TiO2薄膜，是指薄膜中Mo/Ti原子比為3%～10%；所謂低濃度摻鉬TiO2薄膜，是指薄膜中Mo/Ti原子比為0.5%～3%。
2.?一種如權利要求1所述的三層結構的摻鉬TiO2光催化薄膜的制備方法，其特征在于：
利用射頻磁控濺射方法，以玻璃或金屬為基板，采用三個濺射靶，分別為高濃度鉬摻雜二氧化鈦陶瓷靶、低濃度鉬摻雜二氧化鈦陶瓷靶以及純二氧化鈦陶瓷靶；濺射時以Ar離子轟擊靶材，將高濃度摻鉬TiO2薄膜、低濃度摻鉬TiO2薄膜和純TiO2薄膜依次沉積到基板上；其中：
基板溫度為20℃～500℃；
射頻磁控濺射時使用氧氬混合氣體，總氣壓為0.1?Pa～1.0?Pa，其中O2分壓占總氣壓比為0.1％～10.0％，濺射功率10?kW/m2～50?kW/m2；
所述低濃度摻鉬二氧化鈦陶瓷靶中Mo/Ti原子比0.5%～3%，高濃度摻鉬二氧化鈦陶瓷靶中Mo/Ti原子比3%～?10%。
3.?一種如權利要求2所述的三層結構的摻鉬TiO2光催化薄膜的制備方法，其特征在于：三層摻鉬TiO2薄膜總厚度為200?nm～600?nm，其中底層膜厚度5?nm～20?nm，中間層膜厚度為100?nm～300?nm。
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