[發明專利]氮化硅的膜制備方法、具有氮化硅膜的太陽能電池片及其制備方法

有效

• 申請號: 201210350692.3
• 申請日: 2012-09-19
• 公開（公告）號: CN102856174A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 趙學玲;范志東;李倩;李永超;王濤;解占壹
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/318;H01L31/0216
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種氮化硅膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將硅片置入管式爐內；

S2、向所述管式爐內通入氮氣，并將所述管式爐在氮氣氣氛下升溫至340℃～360℃，恒溫500s～2000s；以及

S3、利用PECVD法在所述硅片上依次形成第一氮化硅膜層和第二氮化硅膜層。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3包括：

S31、向所述管式爐內通入氨氣，對所述硅片表面進行預處理；

S32、向所述管式爐內通入包括硅烷和氨氣的第一混合氣體，在經預處理的所述硅片表面上形成所述第一氮化硅膜層；

S33、向所述管式爐內通入包括硅烷和氨氣的第二混合氣體，在所述硅片形成有所述第一氮化硅膜層的一側表面上形成所述第二氮化硅膜層。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S31中進一步包括：

以流量為2800～3200sccm向所述管式爐內通入氨氣，并在壓強為1300～1500mTorr，射頻功率為4800～5400W，時間為200～300s條件下進行所述預處理。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S32中進一步包括：

按照體積流量比為1:3～1:5向所述管式爐內通入所述硅烷和所述氨氣，其中所述硅烷的流量為800～1200sccm；在壓強為1400～1600mTorr，射頻功率為5800～6100W，沉積時間為120～200s條件下，在經預處理的所述硅片上形成所述第一氮化硅膜層。

5.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S33中進一步包括：

按照體積流量比為1:9～1:12向所述管式爐內通入所述硅烷和所述氨氣，其中所述硅烷的流量為500～900sccm；在壓強為1300～1500mTorr，射頻功率為5800～6300W，沉積時間為600～800s條件下，在所述硅片形成有所述第一氮化硅膜層的一側表面上形成所述第二氮化硅膜層。

6.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S31、S32和S33均是在溫度為340℃～360℃條件下進行。

7.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中恒溫600s～900s。

8.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中完成所述第二氮化硅膜層沉積后，在溫度為340℃～360℃條件下直接取出具有所述氮化硅膜的所述硅片。

9.一種太陽能電池片的制備方法，包括制備氮化硅膜的步驟，其特征在于，所述氮化硅膜為采用權利要求1至8中任一項所述的方法制備而成。

10.一種太陽能電池片，其特征在于，所述電池片為采用權利要求9所述的制備方法制備而成。