[發明專利]一種功率放大器

在審

• 申請號: 201210349841.4
• 申請日: 2012-09-18
• 公開（公告）號: CN102983822A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 李琛
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20;H03F3/24
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種功率放大器，其特征在于，包括：

?第一級單元，接收鎖相環傳來的高頻脈沖信號并對其進行方波整形，以使所述脈沖信號的電平達到預設的閾值；其包括依次串接的第一反相器和第二反相器；

?第二級單元，與所述第一級單元相耦接，接收經過方波整形的脈沖信號；其包括依次串接的第一增益放大模塊和至少一個第二增益放大模塊；所述第二增益放大模塊包括增益放大子模塊和增益控制子模塊；所述增益控制子模塊接收系統輸入的通斷控制信號，切換相應的所述增益放大子模塊的工作狀態，以使所述第二級單元輸出不同增益的放大信號。

2.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一反相器包括兩個第一電容、第一NMOS管及第一PMOS管；其中，所述第一NMOS管的漏極和所述第一PMOS管的漏極連接作為其輸出端，所述第一PMOS管的源極接電源，所述第一NMOS管的源極接地，所述鎖相環傳來的高頻脈沖信號分別通過所述第一電容傳送到所述第一PMOS管的柵極及所述第一NMOS管的柵極。

3.根據權利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述第二反相器包括兩個第二電容、第二NMOS管及第二PMOS管；其中，所述第二NMOS管的漏極和所述第二PMOS管的漏極連接作為其輸出端，所述第二PMOS管的源極接電源，所述第二NMOS管的源極接地，所述第一反相器輸出端輸出的脈沖信號分別通過所述第二電容傳送到所述第二PMOS管的柵極及所述第二NMOS管的柵極。

4.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一增益放大模塊包括第三NMOS管及第三PMOS管；其中，所述第三NMOS管的漏極和所述第三PMOS管的漏極連接作為其輸出端，所述第三PMOS管的源極接電源，所述第三NMOS管的源極接地，所述第二反相器輸出端與所述第三PMOS管的柵極及所述第三NMOS管的柵極相連。

5.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，

?所述增益控制子模塊包括反相器、第四NMOS管及第四PMOS管；其中，所述第四NMOS管的漏極和所述第四PMOS管的漏極連接作為其輸出端，所述第四PMOS管的源極接電源，所述第四NMOS管的源極接地，所述的通斷控制信號為柵極通斷控制信號，所述反相器的輸出端與所述第四PMOS管的柵極相連，所述反相器的輸入端接收所述柵極通斷控制信號且與所述第四NMOS管的柵極相連；

?所述增益放大子模塊，包括第五NMOS管及第五PMOS管；其中，所述第五PMOS管的漏極和所述第四PMOS管的漏極連接，且所述第五PMOS管的源極接電源，所述第五NMOS管的源極接地，所述第五NMOS管的漏極與所述第四NMOS管的漏極連接作為其輸出端。

6.根據權利要求5所述的功率放大器，其特征在于，所述第二級單元還包括控制所述第二級單元工作狀態的所述第六PMOS管，所述第六PMOS管的源極接電源，所述第六PMOS管漏極與所述第一增益放大模塊中的第三PMOS管源極，以及所述第二增益放大模塊中的第五PMOS管源極相連。

7.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一級單元的電源所述第二級單元的電源為兩個分離的不同電源，同樣，所述第一級單元的接地端與所述第二級單元的接地端分開。

8.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，還包括依次串接的第三電容和一個電感，所述的第三電容的輸入端與所述第二級單元的輸出端相連，所述電感的輸出端為所述功率放大器的輸出端。