[發明專利]測試存儲陣列的方法及控制裝置

在審

• 申請號: 201210349828.9
• 申請日: 2012-09-19
• 公開（公告）號: CN102867544A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 楊光軍;胡劍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種測試存儲陣列的方法，所述存儲陣列中，同一列的存儲單元共用一條位線，同一行的存儲單元共用一條字線，每兩行存儲單元共用一條源線，其特征在于，包括：

施加源線測試電壓至與存儲單元連接的所有源線；

施加不為0V的位線測試電壓至與存儲單元連接的所有位線；

施加0V電壓至與存儲單元連接的所有字線；

經過預定測試時間后，去除施加的測試電壓，讀取每個存儲單元的測試電流，將所述測試電流與參考電流進行比較，輸出比較結果；

根據所述比較結果，判斷每個存儲單元是否合格；

其中，所述位線測試電壓小于所述源線測試電壓。

2.根據權利要求1所述的測試存儲陣列的方法，其特征在于，所述源線測試電壓的取值范圍為4V至6V。

3.根據權利要求1所述的測試存儲陣列的方法，其特征在于，所述位線測試電壓的取值范圍為0.1V至0.6V。

4.根據權利要求1所述的測試存儲陣列的方法，其特征在于，所述預定測試時間的取值范圍為1ms至100ms。

5.根據權利要求1所述的測試存儲陣列的方法，其特征在于，所述參考電流的取值范圍為4μA至10μA。

6.一種測試存儲陣列的控制裝置，所述存儲陣列中，同一列的存儲單元共用一條位線，同一行的存儲單元共用一條字線，每兩行存儲單元共用一條源線，其特征在于，包括：

源線控制單元，用于施加源線測試電壓至與存儲單元連接的所有源線；

位線控制單元，用于施加不為0V的位線測試電壓至與存儲單元連接的所有位線；

字線控制單元，用于施加0V電壓至與存儲單元連接的所有字線；

讀取比較單元，用于讀取每個存儲單元的測試電流，將所述測試電流與參考電流進行比較，輸出比較結果；

判斷單元，用于根據所述比較結果判斷每個存儲單元是否合格；

其中，所述位線測試電壓小于所述源線測試電壓。

7.根據權利要求6所述的測試存儲陣列的控制裝置，其特征在于，還包括：位線測試電壓提供單元，用于產生所述位線測試電壓。

8.根據權利要求7所述的測試存儲陣列的控制裝置，其特征在于，所述位線測試電壓提供單元包括：

參考電壓源，用于產生參考電壓；

輸出緩沖單元，用于放大所述參考電壓源產生的參考電壓，獲得所述位線測試電壓。

9.根據權利要求8所述的測試存儲陣列的控制裝置，其特征在于，所述參考電壓源為第一帶隙基準源。

10.根據權利要求8所述的測試存儲陣列的控制裝置，其特征在于，所述參考電壓源包括：

第二帶隙基準源，包括基準電壓輸出端；

電壓跟隨單元，包括控制電壓輸入端和參考電壓輸出端，所述控制電壓輸入端與所述基準電壓輸出端連接。

11.根據權利要求10所述的測試存儲陣列的控制裝置，其特征在于，所述電壓跟隨單元包括第一NMOS管和參考電流源，所述參考電流源一端接地，另一端與所述第一NMOS管的源極連接并作為所述參考電壓輸出端，所述第一NMOS管的柵極為所述控制電壓輸入端，所述第一NMOS管的漏極連接電源電壓。

12.根據權利要求8所述的測試存儲陣列的控制裝置，其特征在于，所述參考電壓源為虛擬陣列。

13.根據權利要求6所述的測試存儲陣列的控制裝置，其特征在于，所述源線測試電壓的取值范圍為4V至6V。

14.根據權利要求6所述的測試存儲陣列的控制裝置，其特征在于，所述位線測試電壓的取值范圍為0.1V至0.6V。

15.根據權利要求6所述的測試存儲陣列的控制裝置，其特征在于，所述參考電流的取值范圍為4μA至10μA。