[發明專利]光電元件有效
| 申請號： | 201210349604.8 | 申請日： | 2008-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN102842669A | 公開（公告）日： | 2012-12-26 |
| 發明（設計）人： | 許嘉良 | 申請（專利權）人： | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光電 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一種光電元件，包含：
耐熱支撐層；
半導體外延結構；及
高熱傳導性透明層，其熱傳導系數大于300W/mK，其厚度大于15μm，且該高熱傳導性透明層介于該耐熱支撐層及該半導體外延結構之間。
2.如權利要求1所述的光電元件，更包含：
導電溝道，穿過該高熱傳導性透明層使該半導體外延結構與該耐熱支撐層電性連結。
3.如權利要求1所述的光電元件，更包含：
接著層，介于該半導體外延結構與該高熱傳導性透明層之間。
4.如權利要求1所述的光電元件，更包含：
反射層，介于該耐熱支撐層及該半導體外延結構之間。
5.如權利要求4所述的光電元件，更包含：
金屬碳化物層，介于該反射層與該高熱傳導性透明層之間。
6.如權利要求4所述的光電元件，其中該反射層包含多層結構。
7.如權利要求1所述的光電元件，其中該高熱傳導性透明層的折射率為2.1~2.4。
8.如權利要求1所述的光電元件，其中該光電元件的最高工作溫度低于103.87℃。
9.如權利要求1所述的光電元件，其中該高熱傳導性透明層的材料包含鉆石。
10.如權利要求1所述的光電元件，其中該耐熱支撐層的材料包含硅、銅、或碳化硅。
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