[發明專利]一種靜態隨機存儲單元在審
| 申請號： | 201210349555.8 | 申請日： | 2012-09-19 |
| 公開（公告）號： | CN102903386A | 公開（公告）日： | 2013-01-30 |
| 發明（設計）人： | 郭奧 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/413 | 分類號： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 靜態 隨機 存儲 單元 | ||
1.一種靜態隨機存儲單元，包括第一反相器與第二反相器，其特征在于，還包括：
第一反饋電阻；
第一反饋晶體管，與上述第一反饋電阻并聯耦接于上述第一反相器的輸出端與上述第二反相器的輸入端；
第二反饋電阻；以及
第二反饋晶體管，與上述第二反饋電阻并聯耦接于上述第一反相器的輸入端與上述第二反相器的輸出端。
2.根據權利要求1所述的靜態隨機存儲單元，其特征在于，還包括：
第一NMOS傳輸門晶體管，其源極耦接上述第一反相器的輸入端，漏極耦接第一位線，柵極耦接字線；
第二NMOS傳輸門晶體管，其源極耦接上述第二反相器的輸入端，漏極耦接第二位線，柵極耦接上述字線。
3.根據權利要求2所述的靜態隨機存儲單元，其特征在于，
上述第一反饋晶體管及上述第二反饋晶體管的柵極耦接上述字線。
4.根據權利要求3所述的靜態隨機存儲單元，其特征在于，上述第一反相器包括第一PMOS晶體管與第一NMOS晶體管，上述第一PMOS晶體管的源極接電源，上述第一NMOS晶體管的源極接地，上述第一PMOS晶體管的漏極與上述第一NMOS晶體管的漏極耦接作為上述第一反相器的輸出端，上述第一PMOS晶體管的柵極與上述第一NMOS晶體管的柵極耦接上述第一NMOS傳輸門晶體管的源極。
5.根據權利要求4所述的靜態隨機存儲單元，其特征在于，上述第二反相器包括第二PMOS晶體管與第二NMOS晶體管，上述第二PMOS晶體管的源極接電源，上述第二NMOS晶體管的源極接地，上述第二PMOS晶體管的漏極與上述第二NMOS晶體管的漏極耦接作為上述第二反相器的輸出端，上述第二PMOS晶體管的柵極與上述第二NMOS晶體管的柵極耦接上述第二NMOS傳輸門晶體管的源極。
6.根據權利要求5所述的靜態隨機存儲單元，其特征在于，還包括：
第一反饋電容，耦接上述第一反相器的輸出端與地；
第二反饋電容，耦接上述第二反相器的輸出端與地。
7.根據權利要求6所述的靜態隨機存儲單元，其特征在于，上述第一反饋晶體管和上述第二反饋晶體管為NMOS管。
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