[發明專利]離子交換法合成銅銦硒納米片的方法有效
| 申請號: | 201210348001.6 | 申請日: | 2012-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN102923763A | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發明(設計)人: | 施偉東;劉裴;于帥;范偉強 | 申請(專利權)人: | 江蘇大學 |
| 主分類號: | C01G19/00 | 分類號: | C01G19/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 樓高潮 |
| 地址: | 212013 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 離子交換法 合成 銅銦硒 納米 方法 | ||
1.一種離子交換法合成銅銦硒納米片的方法,其特征在于,首先以溴化銦和亞硒酸鈉為反應物,以二乙烯三胺,水合肼和去離子水為溶劑,在內襯為聚四氟乙烯的反應釜內合成In2Se3(DETA)0.5前驅物,然后以制得的前驅物和銅鹽為反應物,以乙二醇為溶劑,在反應釜內經溶劑熱反應得到銅銦硒納米片。
2.根據權利要求1所述的離子交換法合成銅銦硒納米片的方法,其特征在于,所述的In2Se3(DETA)0.5前驅物制備步驟包括:將溴化銦和亞硒酸鈉置于反應釜中,將二乙烯三胺、水合肼和去離子水混合,攪拌均勻后加入所述反應釜內充分溶解,反應液體積為所述反應釜的60%,將所述反應釜置于180℃反應3d,冷卻至室溫,用無水乙醇洗滌,離心真空干燥得到In2Se3(DETA)0.5前驅物。
3.根據權利要求1或2所述的離子交換法合成銅銦硒納米片的方法,其特征在于,所述的溴化銦和亞硒酸鈉的摩爾比為2:3,所述的二乙烯三胺、水合肼和去離子水的體積比為5:2:12,所述的真空干燥溫度為60℃。
4.根據權利要求1所述的離子交換法合成銅銦硒納米片的方法,其特征在于,所述的溶劑熱反應包括:將權利要求2所述制得的In2Se3(DETA)0.5前驅物和銅鹽置于反應釜中,加入乙二醇做溶劑攪拌均勻,反應液體積為反應釜體積的60~80%,于160~180℃反應4~8h,冷卻至室溫,用去離子水和無水乙醇洗滌,離心真空干燥得到銅銦硒納米片。
5.根據權利要求1或4所述的離子交換法合成銅銦硒納米片的方法,其特征在于,所述的In2Se3(DETA)0.5前驅物和銅鹽的摩爾比為2:1,所述銅鹽為無水合氯化銅、三水合硝酸銅、五水合硫酸銅中的任意一種,所述的真空干燥溫度為60℃。
6.按照權利要求1~5所述方法制備的銅銦硒納米片,其特征在于,所述的銅銦硒納米片是介孔材料,平均長3微米,寬1.5微米。
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