[發(fā)明專利]再生模板的方法和再生設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210347807.3
• 申請(qǐng)日: 2012-09-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103092010A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小林正子;平林英明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): G03F7/42
• 分類號(hào): G03F7/42
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 張海濤;于輝

1.一種再生模板的再生方法，該模板包含：

具有凹凸圖案的轉(zhuǎn)移表面，和

包含無(wú)機(jī)官能團(tuán)和有機(jī)官能團(tuán)的脫模層，這兩種官能團(tuán)都鍵合到該轉(zhuǎn)移表面上，

該方法包含：

通過(guò)對(duì)脫模層中所包含的有機(jī)官能團(tuán)進(jìn)行氧化和分解來(lái)除去有機(jī)官能團(tuán)；

除去無(wú)機(jī)官能團(tuán)；和

通過(guò)將硅烷偶聯(lián)劑與轉(zhuǎn)移表面偶聯(lián)來(lái)形成脫模層。

2.權(quán)利要求1的方法，其中無(wú)機(jī)官能團(tuán)的除去是按如下進(jìn)行的：用含有選自氨、膽堿、氫氧化鈉和氟化氫中的至少一種的化學(xué)溶液進(jìn)行處理。

3.權(quán)利要求1的方法，其中在無(wú)機(jī)官能團(tuán)的除去中，進(jìn)行0.15n?m或者更大的蝕刻。

4.權(quán)利要求1的方法，其中該氧化和分解是通過(guò)用紫外線照射、等離子體照射或者臭氧處理來(lái)進(jìn)行的。

5.權(quán)利要求1的方法，其中該脫模層包含含有硅烷偶聯(lián)劑的硅原子的無(wú)機(jī)官能團(tuán)，該硅原子是經(jīng)由氧原子與轉(zhuǎn)移表面共價(jià)鍵合的，并且有機(jī)官能團(tuán)與該硅原子相鄰。

6.權(quán)利要求1的方法，其中該無(wú)機(jī)官能團(tuán)包含烷基或者氟基團(tuán)。

7.一種用于再生模板的再生設(shè)備，該模板包含：

具有凹凸圖案的轉(zhuǎn)移表面，和

包含無(wú)機(jī)官能團(tuán)和有機(jī)官能團(tuán)的脫模層，這兩種官能團(tuán)都鍵合到該轉(zhuǎn)移表面上，

該設(shè)備包含：

第一加工區(qū)，用于通過(guò)氧化和分解來(lái)除去脫模層的有機(jī)官能團(tuán)；

第二加工區(qū)，用于除去脫模層的無(wú)機(jī)官能團(tuán)；和

第三加工區(qū)，用于通過(guò)將硅烷偶聯(lián)劑與轉(zhuǎn)移表面偶聯(lián)來(lái)形成脫模層。