[發(fā)明專利]頂柵型有機(jī)薄膜晶體管、其制造方法和電子裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210347746.0
• 申請(qǐng)日: 2009-08-07
• 公開（公告）號(hào): CN102891254A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 野本和正;米屋伸英;大江貴裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L51/05
• 分類號(hào): H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種頂柵型有機(jī)薄膜晶體管，其包括：

基板；

通過使用鍍膜技術(shù)在所述基板上沉積的第一層，所述第一層用于形成源極電極和漏極電極；

由所述有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成的有機(jī)半導(dǎo)體層，所述有機(jī)半導(dǎo)體層被形成在各自都用所述第一層形成的所述源極電極與所述漏極電極之間的區(qū)域上方；以及

柵極電極，所述柵極電極隔著柵極絕緣膜沉積在所述有機(jī)半導(dǎo)體層上。

2.如權(quán)利要求1所述的頂柵型有機(jī)薄膜晶體管，其還包括：

也通過使用鍍膜技術(shù)而沉積的覆蓋所述第一層且由金屬材料構(gòu)成的第二層，所述第二層也用于形成所述源極電極和所述漏極電極，所述第二層的金屬材料與所述第一層相比能夠與有機(jī)半導(dǎo)體材料形成更低的歐姆接觸。

3.如權(quán)利要求2所述的頂柵型有機(jī)薄膜晶體管，其中，

用于形成所述第一層的金屬材料是鎳和銅中的至少一種；并且

用于形成所述第二層的所述金屬材料是金、鉑和鈀中的至少一種。

4.如權(quán)利要求2所述的頂柵型有機(jī)薄膜晶體管，其中，所述第二層被形成為覆蓋所述第一層的整個(gè)露出表面。

5.如權(quán)利要求1或2所述的頂柵型有機(jī)薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣膜由有機(jī)聚合物材料形成。

6.如權(quán)利要求1或2所述的頂柵型有機(jī)薄膜晶體管，其中，所述柵極絕緣膜由包括無機(jī)材料和有機(jī)聚合物材料的多層膜形成。

7.如權(quán)利要求1或2所述的頂柵型有機(jī)薄膜晶體管，其中，所述有機(jī)半導(dǎo)體層以圖形化方式形成。

8.一種形成頂柵型有機(jī)薄膜晶體管的方法，其包括以下步驟：

通過使用鍍膜技術(shù)在基板上沉積第一層，所述第一層用于形成源極電極和漏極電極；

在所述源極電極與所述漏極電極之間的區(qū)域上方形成有機(jī)半導(dǎo)體層；以及

隔著柵極絕緣膜在所述有機(jī)半導(dǎo)體層上沉積柵極電極。

9.如權(quán)利要求8所述的形成頂柵型有機(jī)薄膜晶體管的方法，其還包括以下步驟：

在形成所述有機(jī)半導(dǎo)體層之前，也通過使用鍍膜技術(shù)來沉積由金屬材料構(gòu)成的第二層，所述第二層覆蓋所述第一層，并也用于形成所述源極電極和所述漏極電極，所述第二層的金屬材料與所述第一層相比能夠與有機(jī)半導(dǎo)體材料形成更低的歐姆接觸。

10.如權(quán)利要求9所述的形成頂柵型有機(jī)薄膜晶體管的方法，其中，

用于形成所述第一層的金屬材料是鎳和銅中的至少一種；并且

用于形成所述第二層的所述金屬材料是金、鉑和鈀中的至少一種。

11.如權(quán)利要求9所述的形成頂柵型有機(jī)薄膜晶體管的方法，其中，所述第二層被沉積成覆蓋所述第一層的整個(gè)露出表面。

12.如權(quán)利要求8或9所述的形成頂柵型有機(jī)薄膜晶體管的方法，其中，所述柵極絕緣膜由有機(jī)聚合物材料形成。

13.如權(quán)利要求8或9所述的形成頂柵型有機(jī)薄膜晶體管的方法，其中，所述柵極絕緣膜由包括無機(jī)材料和有機(jī)聚合物材料的多層膜形成。

14.如權(quán)利要求8或9所述的形成頂柵型有機(jī)薄膜晶體管的方法，其中，所述有機(jī)半導(dǎo)體層以圖形化方式形成。

15.一種電子裝置，所述電子裝置包括權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的頂柵型有機(jī)薄膜晶體管。