[發明專利]一種晶體硅太陽能電池電極硫化處理方法無效
| 申請號: | 201210347678.8 | 申請日: | 2012-09-19 | 
| 公開(公告)號: | CN102881768A | 公開(公告)日: | 2013-01-16 | 
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 江蘇榮馬新能源有限公司 | 
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 | 
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 張惠忠 | 
| 地址: | 223700 江蘇省宿*** | 國省代碼: | 江蘇;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 電極 硫化 處理 方法 | ||
1.一種晶體硅太陽能電池電極硫化處理方法,其特征包括以下步驟:第一步,將待處理的晶體硅太陽能電池置于燒結爐內,將燒結爐內溫度設置在300℃—480℃,并保持設定的時間;
第二步,將晶體硅太陽能電池置于燒結爐內,同時將晶體硅太陽能電池的速度設定為勻速前進,使晶體硅太陽能電池電極硫化銀分解并重新置換為銀;
第三步,晶體硅太陽能電池電極硫化銀分解并重新置換為銀后再經過常溫冷卻使電池電極表面還原為銀白色。
2.根據權利要求1所述晶體硅太陽能電池電極硫化處理方法,其特征在于:所述燒結爐的溫度設置為逐步遞增趨勢,燒結爐的初始溫度為300℃,而爐內溫度加熱到設定的溫度為480℃。
3.根據權利要求2所述晶體硅太陽能電池電極硫化處理方法,其特征在于:所述設定的時間為40s-50s,所述晶體硅太陽能電池的速度為0.05m/s-0.1?m/s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





