[發(fā)明專利]一種有效填充深溝槽的解決方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201210345937.3
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN103681235A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設計）人: 劉繼全;錢志剛;羅嘯
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種有效填充深溝槽的解決方法，其特征在于：包括如下步驟：

1.1在硅襯底上淀積一層或數(shù)層氧化膜和/或氮化膜，作為阻擋層；

1.2淀積光刻膠，顯影后刻蝕阻擋層，露出后續(xù)流程需要刻蝕深溝槽的硅襯底；

1.3去除光刻膠，然后利用阻擋層，刻蝕出具有高深寬比的深溝槽的圖形；

1.4在全硅片上淀積一層底膜；

1.5在全硅片上生長一層流動性較好的涂層；

1.6用刻蝕的方法將底膜和涂層去除，同時達到了降低深溝槽的深寬比的目的，便于后續(xù)的填充；

1.7用刻蝕的方法將剩余的涂層去除；

1.8進行后續(xù)輪次的填充，將深溝槽填滿。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1.1中，所述阻擋層的厚度為1000~5000埃，其采用LPCVD工藝、或PECVD工藝，或APCVD工藝淀積。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1.2中，所述阻擋層刻蝕寬度為0.1~50微米，刻蝕深度以硅損失小于100埃，所述刻蝕方法采用干法或濕法刻蝕工藝。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1.3中，所述深溝槽由干法刻蝕方法產(chǎn)生，所述深溝槽的深度為1~100微米，寬度為0.1~50微米。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1.4中，所述底膜采用常壓或低壓化學氣相淀積生長工藝淀積，所述底膜的生長方向為底部生長的成膜方式；所述底膜為氧化膜或氮化膜，該底膜的膜質與阻擋層頂層膜的膜質不同；該底膜的生長厚度為1000~10000埃，該底膜的生長厚度為深溝槽深度的1/2到1/5。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，步驟1.4中，所述底膜的生長厚度為深溝槽深度的1/3。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1.5中，所述涂層的厚度為1000～5000埃，所述涂層的生長方式為涂布或沉積。

8.根據(jù)權利要求1或7所述的方法，其特征在于，步驟1.5中，所述涂層采用抗反射有機物。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1.6中，所述刻蝕方法中，底膜相對于涂層的刻蝕速率選擇比較高，在5：1～100：1之間；底膜相對阻擋層的刻蝕速率選擇比較高，在5：1～100：1之間；所述刻蝕方法采用干法或濕法工藝。

10.根據(jù)權利要求1或9所述的方法，其特征在于，步驟1.6中，所述刻蝕的終點為在阻擋層上，阻擋層的損失量在100～300埃。

11.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1.7中，所述刻蝕方法中，涂層相對于阻擋層的刻蝕速率選擇比較高，在1：5～1：20之間，刻蝕方法為濕法或干法刻蝕。12．根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1.8中，填充深溝槽的頂膜的厚度為1000~10000埃，該頂膜的膜質與生長方式與步驟1.4的底膜相同，直至將深溝槽填滿。