[發(fā)明專(zhuān)利]一種二氧化鈦光催化薄膜及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210345513.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-09-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102864481A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃峰;戴丹;李朋;李艷玲 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C25D11/26 | 分類(lèi)號(hào): | C25D11/26;C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司: | 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224 | 代理人: | 劉誠(chéng)午 |
| 地址: | 315201 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氧化 光催化 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種二氧化鈦光催化薄膜,其特征在于,所述的二氧化鈦光催化薄膜具有海綿狀的多孔結(jié)構(gòu),其中,孔沿生長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度為200nm~800nm,沿垂直于生長(zhǎng)方向的最大寬度為10nm~300nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦光催化薄膜,其特征在于,二氧化鈦為銳鈦礦結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦光催化薄膜,其特征在于,孔沿垂直于生長(zhǎng)方向的最大寬度為30nm~100nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦光催化薄膜,其特征在于,所述的孔為圓孔,沿垂直于生長(zhǎng)方向的最大寬度為孔的孔徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦光催化薄膜,其特征在于,所述的孔的生長(zhǎng)方向與二氧化鈦光催化薄膜的厚度方向一致。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的一種二氧化鈦光催化薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)采用磁控濺射技術(shù)在基體上濺射沉積鈦膜,磁控濺射的條件包括:本底壓強(qiáng)為6×10-4Pa以下,Ti靶安裝在陰極上,基體安裝在陽(yáng)極上,通入氬氣,調(diào)節(jié)腔體壓力為0.1Pa~1Pa,濺射Ti靶,Ti靶的功率密度為3.7w/cm2~6.2w/cm2;
(2)將步驟(1)中制備的鈦膜作為陽(yáng)極,石墨作為陰極,進(jìn)行陽(yáng)極氧化反應(yīng),電解液為氟化銨的質(zhì)量百分濃度為0.5%~2%的氟化銨的有機(jī)飽和醇水溶液,有機(jī)飽和醇和水中水的體積百分比為1%~5%,恒定電壓為25v~50v,得到二氧化鈦薄膜;
(3)將步驟(2)中制備的二氧化鈦薄膜升溫至400℃~500℃并保溫120min~250min,冷卻,得到二氧化鈦光催化薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二氧化鈦光催化薄膜的制備方法,其特征在于,步驟(1)中,在基體上濺射沉積鈦膜時(shí)基體的溫度為20℃~200℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二氧化鈦光催化薄膜的制備方法,其特征在于,步驟(1)中,所述的基體為玻璃、硅片、陶瓷、鋼鐵、聚合物中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二氧化鈦光催化薄膜的制備方法,其特征在于,步驟(1)中的鈦膜具有柱狀結(jié)構(gòu),柱寬為100nm~500nm;鈦膜采用X射線衍射測(cè)定的(002)面和(101)面的衍射強(qiáng)度分別為I(002)和I(101),且滿足I(002)>I(101)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二氧化鈦光催化薄膜的制備方法,其特征在于,步驟(2)中,所述的有機(jī)飽和醇為丙三醇或乙二醇。
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