[發明專利]一種制備有機發光二極管的方法、發光二極管和發光器件

有效

• 申請號: 201210345436.5
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN102881843A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 楊棟芳;金馝奭;肖田
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

技術領域

本發明涉及有機發光二極管技術，特別是指一種制備有機發光二極管的方法、發光二極管和發光器件。

背景技術

摻雜是有機發光二極管中廣泛應用的技術?，F有技術中，在制備有機發光二極管的過程中通常通過同時蒸發兩種或多種不同性質的有機材料實現摻雜。其中，通過控制兩種或多種材料的蒸發速度來調節摻雜層中各種組分的摻雜比例。

例如，在摻雜的發光層的制備過程中，通常將主體(Host)材料和客體(Guest)材料同時蒸鍍以形成摻雜的發光層，主體材料和客體材料所占的比例需要通過各自的蒸發速度來調節。

在實際生產中會存在如下問題：

摻雜的過程中，需要使用蒸發速度能被精確控制的蒸發源，精確控制摻雜比例，摻雜過程復雜且重復性差。因此傳統的混合蒸鍍的方式對工藝的精確度和復雜度要求較高，難以提高生產過程效率和產品的良率，導致生產成本較高。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種制備有機發光二極管的方法、發光二極管和發光器件，解決制備器件時，向器件進行摻雜的過程中需要精確控制摻雜比例，摻雜過程復雜且重復性差所導致的制備過程成本高且器件性能不穩定的缺陷。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供一種制備有機發光二極管的方法，包括：

在一襯底上制備第一電極；在所述第一電極之上制備包括至少一層復合層的有機層；其中所述復合層包括多個子層，所述多個子層由多個組分交替蒸鍍形成；在所述有機層之上制備第二電極。

所述方法中，還包括：在交替蒸鍍所述多個組分時，通過在設定蒸鍍速度下控制各個子層對應的蒸鍍時間來控制各個子層的厚度；或者，通過在蒸鍍的過程中對子層的厚度進行監測以控制各個子層的厚度。

所述方法中，所述多個子層中，每個組分形成的層數大于等于2。

所述方法中，所述多個子層中：同一組分形成的層的厚度不全相同；和/或，不同組分形成的層的厚度不全相同。

所述方法中，所述復合層為：空穴注入層，空穴傳輸層，電子阻擋層，發光層，空穴阻擋層，電子傳輸層或電子注入層；所述復合層的厚度為0.5nm至1000nm，其中所述復合層的多個子層中任一子層的厚度為0.01nm至10nm。

本發明的實施例還提供一種有機發光二極管，包括：襯底、第一電極和第二電極；所述第一電極和第二電極之間包括有機層，所述有機層包括至少一層復合層；所述襯底承載所述第一電極、所述有機層和所述第二電極；所述復合層包括：多個子層，所述多個子層由多個組分交替蒸鍍形成。

所述有機發光二極管中，所述多個子層中，每個組分形成的層數大于等于2。

所述有機發光二極管中，所述多個子層中：同一組分形成的層的厚度不全相同；和/或，不同組分形成的層的厚度不全相同。

所述有機發光二極管中，所述復合層為：空穴注入層，空穴傳輸層，電子阻擋層，發光層，空穴阻擋層，電子傳輸層或電子注入層；所述復合層的厚度為0.5nm至1000nm，其中所述復合層的多個子層中任一子層的厚度為0.01nm至10nm。

所述有機發光二極管中，所述復合層為空穴注入層，所述空穴注入層的厚度為0.5~200nm；所述空穴注入層的多個子層中任一子層的厚度為0.05~5nm。

所述有機發光二極管中，所述多個組分包括三苯胺類衍生物、金屬配合物、聚3，4-二氧乙撐噻吩：聚苯乙烯磺酸中的至少一種。

所述有機發光二極管中，所述復合層為空穴傳輸層，所述空穴傳輸層的厚度為5~200nm；所述空穴傳輸層的多個子層中任一子層的厚度為0.05~5nm。

所述有機發光二極管中，所述多個組分包括芳香族二胺類化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺類化合物、聯苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金屬配合物、咔唑類聚合物中的至少一種。

所述有機發光二極管中，所述復合層為電子阻擋層，所述電子阻擋層的厚度為1~200nm；所述電子阻擋層的多個子層中任一子層的厚度為0.05~5nm。

所述有機發光二極管中，所述多個組分包括芳香族二胺類化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺類化合物、聯苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金屬配合物、咔唑類聚合物中的至少一種。

所述有機發光二極管中，所述復合層為發光層，所述發光層的厚度為1~100nm；所述發光層的多個子層中任一子層的厚度為0.05~5nm。

所述有機發光二極管中，所述多個組分包括熒光發光材料、磷光發光材料中的至少一種。