[發明專利]硅襯底及其制造方法和外延結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201210345304.2
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN103137656A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 金峻淵;金在均;蔡秀熙;洪賢基
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/04
• 分類號: H01L29/04;H01L29/06;H01L21/02;C30B25/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種硅襯底，包括：

硅主體部；

硅邊緣部，在所述硅主體部周圍；以及

裂紋減少部，在所述硅邊緣部上，使得所述裂紋減少部的晶面的方向是隨機的。

2.根據權利要求1所述的硅襯底，其中所述裂紋減少部包括在所述硅邊緣部的頂表面上的凹凸部。

3.根據權利要求1所述的硅襯底，其中所述裂紋減少部包括在所述硅邊緣部的頂表面上的電介質膜。

4.根據權利要求3所述的硅襯底，其中所述電介質膜在所述硅邊緣部的側部上。

5.根據權利要求3所述的硅襯底，其中所述電介質膜是氮化物膜和氧化物膜之一。

6.根據權利要求1所述的硅襯底，其中所述裂紋減少部通過將離子注入到所述硅邊緣部的頂表面中而形成。

7.一種外延結構，包括：

硅襯底，包括：

硅主體部；

硅邊緣部，在所述硅主體部周圍；以及

裂紋減少部，在所述硅邊緣部上，使得所述裂紋減少部的晶面的方向是隨機的；

至少一個第一氮化物半導體薄膜，在所述硅襯底的所述硅主體部上；以及

第二氮化物半導體薄膜，在所述硅襯底的所述裂紋減少部上。

8.根據權利要求7所述的外延結構，其中所述第二氮化物半導體薄膜具有多晶結構和非晶結構之一。

9.根據權利要求7所述的外延結構，其中所述裂紋減少部包括在所述硅邊緣部的頂表面上的凹凸部。

10.根據權利要求7所述的外延結構，其中所述裂紋減少部包括在所述硅邊緣部的頂表面上的電介質膜。

11.根據權利要求10所述的外延結構，其中所述電介質膜在所述硅邊緣部的側表面上。

12.根據權利要求10所述的外延結構，其中所述電介質膜是氮化物膜和氧化物膜之一。

13.根據權利要求7所述的外延結構，其中所述裂紋減少部通過將離子注入到所述硅邊緣部的頂表面中而形成。

14.根據權利要求7所述的外延結構，其中所述至少一個第一氮化物半導體薄膜由AlxInyGa1-x-yN形成，其中0≤x,y≤1,x≠y。

15.一種硅襯底的制造方法，所述方法包括：

制備母硅襯底；以及

在所述母硅襯底的邊緣部上形成裂紋減少部，使得所述裂紋減少部的晶面的方向是隨機的。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述形成裂紋減少部包括：

通過圖案化工藝在所述母硅襯底的所述邊緣部的頂表面上形成不平坦部；以及

蝕刻所述不平坦部。

17.根據權利要求15所述的方法，其中所述形成裂紋減少部包括：

通過圖案化工藝在所述母硅襯底上形成電介質膜；以及

通過剝離工藝將所述電介質膜的除了其形成在所述邊緣部上的部分之外的部分去除。

18.根據權利要求15所述的方法，其中所述形成裂紋減少部包括：在所述母硅襯底的所述邊緣部上沉積電介質膜。

19.根據權利要求18所述的方法，其中所述形成裂紋減少部包括：在所述邊緣部上沉積氮化物膜和氧化物膜之一。

20.根據權利要求15所述的方法，其中所述形成裂紋減少部包括：將離子注入到所述母硅襯底的所述邊緣部的頂表面中。

21.一種外延結構的制造方法，所述方法包括：

在硅襯底的主體部周圍形成邊緣部；

在所述硅襯底的所述邊緣部上形成裂紋減少部，使得所述裂紋減少部的晶面的方向是隨機的；

在所述硅襯底的所述主體部上生長至少一個第一氮化物半導體薄膜；以及

在所述硅襯底的所述裂紋減少部上形成第二氮化物半導體薄膜。

22.根據權利要求21所述的方法，其中所述形成裂紋減少部包括：將離子注入到所述邊緣部的頂表面中。

23.根據權利要求21所述的方法，其中所述形成裂紋減少部包括：在所述邊緣部的頂表面上形成凹凸部。