[發明專利]用于CT 系統的X 射線輻射檢測器

有效

• 申請號: 201210344540.2
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN103022180A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: F.迪爾;M.斯特拉斯伯格
• 申請（專利權）人: 西門子公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/08;H01L31/115
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 謝強

1.一種直接轉換X射線輻射檢測器，特別是用于CT系統的直接轉換X射線輻射檢測器，其至少具有：

1.1.檢測用的半導體材料，優選化合物半導體，以及

1.2.在半導體材料（HL）和接觸材料（KM）之間的至少一個歐姆接觸，其中

1.3.所述半導體材料（HL）和所述接觸材料（KM）分別具有載流子逸出功（W_HL,W_KM），其特征在于，

1.4.在所述半導體材料（HL）和接觸材料（KM）之間插入由中間材料（Z）組成的中間層，其中所述中間材料（Z）的逸出功（W_Z）位于所述半導體材料（HL）的逸出功（W_HL）和所述接觸材料（KM）的逸出功（W_KM）之間。

2.根據上述權利要求1所述的X射線輻射檢測器，其特征在于，所述中間材料（Z）是化合物半導體材料，優選非金屬。

3.根據上述權利要求1或2所述的X射線輻射檢測器，其特征在于，所述中間材料（Z）是與所述化合物半導體中的非金屬的元素周期的同一主族的材料。

4.根據上述權利要求1至3中任一項所述的X射線輻射檢測器，其特征在于，所述中間材料（Z）具有由至少兩種不同材料組成的至少兩層。

5.根據上述權利要求1至4中任一項所述的X射線輻射檢測器，其特征在于，所述中間材料（Z）是由具有不同逸出功（W_Z1-W_Z4）的至少兩種元素組成的物質化合物。

6.根據上述權利要求1至5中任一項所述的X射線輻射檢測器，其特征在于，至少在所述半導體材料（HL）的表面附近區域的中間層具有所述中間材料（Z）與所述半導體材料（HL）的材料化合物。

7.根據上述權利要求1至6中任一項所述的X射線輻射檢測器，其特征在于，所述中間層包括半導體材料（HL）的表面附近區域，從所述表面附近區域中通過蝕刻除去所述半導體材料（HL）中的一類原子。

8.根據上述權利要求1至7中任一項所述的X射線輻射檢測器，其特征在于，所述中間層通過沉積方法，特別是蒸發、濺射、無電流沉積、電解和/或化學反應形成在所述半導體材料（HL）的表面上。

9.一種CT系統，其具有根據上述權利要求1至8中任一項所述的X射線輻射檢測器。