[發(fā)明專利]一種電子可編程熔絲器件的修正方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210343635.2
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN102867782A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設計）人: 俞柳江
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

技術領域

本發(fā)明涉及電子可編程熔絲技術領域，具體涉及一種電子可編程熔絲的修正方法。

背景技術

傳統(tǒng)的熔絲（Fuse）主要有三種：以激光燒斷的金屬熔絲（Laser?Fuse），或是以大電流燒斷的金屬熔絲（Metal?Fuse）和多晶硅熔絲（Poly?Fuse），現(xiàn)有市售產(chǎn)品因使用激光燒斷、大電流燒斷等制程，往往面臨不可回復性等問題，如Metal?Fuse或是Poly?Fuse，需以較大電流進行，將受限于燒錄設備與接腳的設計；而Laser?Fuse僅能在芯片封裝前進行，應用范圍受限，且制程的良率較低。

電子可編程熔絲（Electrically?Programming?Fuse，eFuse）是基于電遷移原理來進行編譯的。與傳統(tǒng)熔絲相比，電遷移特性可以生成小得多的熔絲結構，其采用的編譯電壓一般在2.5V，一個持續(xù)幾毫秒的十幾毫安直流脈沖就足以編程單根熔絲。

通常的電子可編程熔絲器件版圖如圖1所示，圖中2和3分別為兩個電極，1為兩電極間的多晶硅熔絲，4為電極上的接觸孔。當在兩電極之間加以較高電流時，在較高的電流密度的作用下，相關原子將會沿著電子運動方向進行遷移，形成空洞，最終斷路，這種現(xiàn)象就是電遷移現(xiàn)象。電子可編程熔絲器件就是利用多晶硅熔絲中的電遷移現(xiàn)象，使得多晶硅熔絲在熔斷之前和熔斷之后的電阻發(fā)生變化（通常熔斷之后的電阻為熔斷之前的電阻的10~1000倍），從而達到可編程的目的。

電子可編程熔絲器件的電遷移現(xiàn)象與多晶硅熔絲中的電流密度分布緊密相關，當多晶硅熔絲中的電流密度分布不均勻（即存在電流密度梯度）的時候，相關原子在兩個電極方向上受電子風力狀況不同，從而更容易發(fā)生電遷移現(xiàn)象，使得多晶硅熔絲更容易熔斷。本發(fā)明即利用這一原理對電子可編程熔絲器件進行光學鄰近修正（Optical?Proximity?Correction，OPC），增強電子可編程熔絲器件的熔斷性能。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于對上述現(xiàn)有技術的改進，本發(fā)明提供了一種電子可編程熔絲器件的修正方法

一種電子可編程熔絲器件的修正方法，適用于電子可編程熔絲器件，所述電子可編程熔絲器件包括兩個多晶硅電極和連接于所述電極之間的電子可編程熔絲，上述電極和電子可編程熔絲位于一基板上，其中，在電子可編程熔絲兩側增加亞解析度附加圖形，所述亞解析度附加圖形用于改變所述電子可編程熔絲的特征尺寸。

優(yōu)選地，電子可編程熔絲器件的修正方法，其中，使用多晶硅熔絲作為所述電子可編程熔絲。

優(yōu)選地，電子可編程熔絲器件的修正方法，其中，所述亞解析度附加圖形的解析度低于所述電子可編程熔絲的解析度且不能被光刻機解析。

優(yōu)選地，電子可編程熔絲器件的修正方法，其中，采用對稱排列的方式將所述亞解析度附加圖形排列于所述多晶硅熔絲兩側的基板上。

優(yōu)選地，電子可編程熔絲器件的修正方法，其中，采用成排排列的方式將同側的所述亞解析度附加圖形排列于所述多晶硅熔絲的基板上。

優(yōu)選地，電子可編程熔絲器件的修正方法，其中，采用預設的寬度定義同側的所述附加圖形之間的間距。

本發(fā)明的有益效果：

通過增加亞解析度附加圖形，在多晶硅熔絲中形成不同的特征尺寸，從而形成不同的電流密度，增強了電子可編程熔絲的電遷移現(xiàn)象，進而增強了電子可編程熔絲器件的熔斷性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖：

圖1是通常的電子可編程熔絲器件的版圖；

圖2是本發(fā)明中的電子可編程熔絲器件的版圖；

圖3是本發(fā)明中的電子可編程熔絲器件經(jīng)曝光和刻蝕工藝后的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。

如圖2所示為一種經(jīng)修正方法改進的電子可編程熔絲器件，包括電極21和電極22以及連接在兩個電極之間的多晶硅熔絲23，24為電極上的接觸孔，上述部件整合在一基板上；其中，在該多晶硅熔絲23兩側的基板上增加具有亞解析度的附加圖形25（Sub-resolution?Assistant?Feature，SRAF）。