[發明專利]一種提高多層整合光罩工藝套準精度的光刻曝光方法有效
| 申請號： | 201210343524.1 | 申請日： | 2012-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN102866592A | 公開（公告）日： | 2013-01-09 |
| 發明（設計）人： | 朱駿;張旭昇 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 多層 整合 工藝 精度 光刻 曝光 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高多層整合光罩工藝套準精度的光刻曝光方法，其特征在于，包括以下順序步驟：先使用第一掩模板圖形對硅片物理尺寸內部分進行曝光；后使用第二掩模板圖形對硅片物理尺寸外部分進行曝光，所述第一掩模板圖形和第二掩模板圖形設置在同一掩模板上。
2.一種提高多層整合光罩工藝套準精度的光刻曝光方法，其特征在于，包括以下順序步驟：先使用第一掩模板圖形對硅片物理尺寸外部分進行曝光；后使用第二掩模板圖形對硅片物理尺寸內部分進行曝光，所述第一掩模板圖形和第二掩模板圖形設置在同一掩模板上。
3.一種提高多層整合光罩工藝套準精度的光刻曝光方法，其特征在于，包括以下順序步驟：使用第一掩模板圖形和第二掩模板圖形對硅片物理尺寸內部分和硅片物理尺寸內部分交替進行曝光。
4.一種掩模板，其特征在于，所述掩模板上排布兩個或兩個以上掩模板圖形。
5.根據權利要求4所述掩模板，其特征在于，所述掩模板上掩模板圖形橫向并列排列或縱向并列排列。
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