[發明專利]一種低功耗低溫度系數電壓基準源無效
| 申請號： | 201210343471.3 | 申請日： | 2012-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN102880215A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發明（設計）人： | 甄少偉;龔靖;龔劍;胡烽;羅萍;賀雅娟;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 冉鵬程 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功耗 溫度 系數 電壓 基準 | ||
【權利要求書】：
1.一種低功耗低溫度系數的電壓基準源，包括補償電流產生電路和一階溫度補償電路,其特征在于：所述補償電流產生電路的補償電流由工作在亞閾區的NMOS管提供，一階溫度補償電路由增強型NMOS管和耗盡型NMOS管組成，補償電流產生電路與一階補償電路相連接，由補償電流產生電路中工作在亞閾區的耗盡型NMOS管為一階補償電路引入補償電流。
2.根據權利要求1所述的一種低功耗低溫度系數的電壓基準源，其特征在于：所述補償電流產生電路，包括耗盡型NMOS管MD1，增強型NMOS管ME0和ME1；其中，耗盡型NMOS管MD1的漏極接外接電源電壓，耗盡型NMOS管MD1的柵極接地，耗盡型NMOS管MD1的源極、增強型NMOS管ME0的漏極和柵極與增強型NMOS管ME1的柵極相連并作為節點A，增強型NMOS管ME0的源極接地，增強型NMOS管ME1的源極接地，增強型NMOS管ME1的漏極作為節點?。
3.根據權利要求1或2所述的一種低功耗低溫度系數的電壓基準源，其特征在于：所述一階溫度補償電路，包括耗盡型NMOS管MD2，增強型NMOS管ME2，其中，耗盡型NMOS管MD2的漏極接電源電壓；耗盡型NMOS管MD2的柵極和源極，增強型NMOS管ME2的柵極和漏極與增強型NMOS管的ME1的漏極相連接于節點，增強型NMOS管ME2的源極接地。
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