[發明專利]一種改善雙大馬士革工藝中KINK缺陷的方法

無效

• 申請號: 201210343445.0
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN102881639A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 黃君;張瑜;蓋晨光
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種改善雙大馬士革工藝中KINK缺陷的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：沉積超低介電常數介電質層覆蓋一制備有底部金屬的半導體結構的上表面后，再沉積一低電常數介電質層覆蓋所述超低介電常數介電質層的上表面；

步驟S2：從下至上順便依次沉積金屬硬質掩膜層和墊氧化物層覆蓋所述低介電常數介電質層的上表面；

步驟S3：打開所述金屬硬質掩膜后，采用光刻、刻蝕工藝于所述超低介電常數介電質層中形成通孔結構；

步驟S4：采用溝槽刻蝕工藝形成溝槽，并貫通所述通孔結構的底部至所述底部金屬中，形成通孔后，去除所述低介電常數介電質層。

2.根據權利要求1所述的改善雙大馬士革工藝中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述半導體結構還包括底部介質層和停止層，所述底部金屬貫穿所述底部介質層，所述停止層覆蓋所述底部金屬和所述底部介質層的上表面，所述超低介電常數介電質層覆蓋所述停止層的上表面。

3.根據權利要求1或2所述的改善雙大馬士革工藝中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述金屬硬質掩膜層包括第一氧化物層、金屬層和第二氧化物層，所述第一氧化物層覆蓋所述超低介電常數介電質層的上表面，所述金屬層覆蓋所述第一氧化物的上表面，所述第二氧化物層覆蓋所述金屬層的上表面。

4.根據權利要求3所述的改善雙大馬士革工藝中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述金屬層的材質為TiN。

5.根據權利要求3所述的改善雙大馬士革工藝中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述步驟S3中采用光刻、刻蝕工藝，依次回蝕所述墊氧化物層、所述第二氧化物層和所述金屬層至所述第一氧化物層中，打開所述金屬硬質掩膜，形成溝槽結構。

6.根據權利要求3所述的改善雙大馬士革工藝中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述停止層的厚度為400A、所述超低介電常數介電質層的厚度為2500-2800A，所述第一氧化物層的厚度為300-400A，所述金屬層的厚度為50-150A，所述第二氧化物層的厚度為200-300A，所述墊氧化物層的厚度為50A。

7.根據權利要求3所述的改善雙大馬士革工藝中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述第一氧化物層和所述第二氧化物層的材質均為SiON。

8.根據權利要求3所述的改善雙大馬士革工藝中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述低介電常數介電質層的厚度為200-300A。

9.根據權利要求3所述的改善雙大馬士革工藝中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述低介電常數介電質層的介電常數為2.7-3.0。

10.根據權利要求3所述的改善雙大馬士革工藝中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述超低介電常數介電質層的介電常數為2.4-2.6。