[發(fā)明專利]檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法有效

申請?zhí)枺?/td>	201210343429.1	申請日：	2012-09-17
公開（公告）號：	CN102881609A	公開（公告）日：	2013-01-16
發(fā)明（設計）人：	范榮偉;倪棋梁;龍吟;王愷;陳宏璘	申請（專利權）人：	上海華力微電子有限公司
主分類號：	H01L21/66	分類號：	H01L21/66;G01N21/956
代理公司：	上海申新律師事務所 31272	代理人：	竺路玲
地址：	201210 上海市浦***	國省代碼：	上海;31
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	檢測 mpw 產品重復缺陷設計弱點方法
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

技術領域

本發(fā)明涉及一種檢測方法，尤其涉及一種檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法。

背景技術

隨著集成電路的技術不斷地提升，最小的設計尺寸也在不斷降低，單位面積芯片上的器件數量也越來越多。因此在集成電路設計開發(fā)階段，設計者經常采用多項目晶圓（Multi?Project?Wafer，簡稱MPW），如圖1中所示，就是將多個具有相同工藝的集成電路設計放在同一圓片1上流片，流片后，每個設計品種可以得到數十片芯片樣品11，這一數量對于設計開發(fā)階段的實驗、測試已經足夠。同時實驗費用由所有參加MPW的項目按面積分擔流片費用，以降低開發(fā)成本和新產品開發(fā)風險，降低中小集成電路設計企業(yè)在起步時的門檻，降低單次實驗流片造成的資源嚴重浪費。

但是MPW晶圓通常通過光罩的每個曝光（shot）作為一個圖形空間（die）的方式進行生產。這樣如果光罩本身存在缺陷，將在各個圖形空間的相同位置產生同樣的缺陷，即產生重復缺陷和設計弱點。針對此種重復缺陷和設計弱點，目前常用的檢測方法是通過掃描檢查。但是這種掃描非常耗時，很難及時發(fā)現問題，而且僅僅采用檢測光罩本身的方式，不會對成像后的圖形進行檢測。

同時在常規(guī)的檢測方法中，對成像后的圖形進行檢測的方法是通過圖形空間與圖形空間的比較方法，如圖2中所示，由于各個圖形空間2、3、4均是有同一光罩生產出來，圖形空間2、3、4上會顯示同一位置21、31、41的缺陷，因此即使光罩有缺陷，通過圖形空間比對也不能檢測出來。除非通過陣列（array）模式檢測出恰好處于單元（cell）區(qū)域的重復缺陷和設計弱點。但針對大部分通過圖形空間與圖形空間的比較方法進行檢測的區(qū)域就無能為力。

因此，本領域的技術人員致力于開發(fā)一種能夠檢測出MPW晶圓重復缺陷與設計弱點的方法。

發(fā)明內容

鑒于上述的現有技術中的問題，本發(fā)明所要解決的技術問題是現有的技術無法快速有效的檢測出MPW晶圓的重復缺陷與設計弱點。

本發(fā)明提供的一種檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法，包括以下步驟：

步驟1，應用多項目晶圓技術，將圖形電路設計圖利用光罩在晶圓上形成多個圖形空間；

步驟2，獲得晶圓的圖形信息；

步驟3，通過比對圖形電路設計圖與晶圓的圖形信息，檢測是否存在差異；

步驟4，如存在差異，光罩存在缺陷和設計弱點；如不存在差異，則光罩無缺陷。

在本發(fā)明的一個較佳實施方式中，所述步驟2通過掃描機臺掃描獲得晶圓的圖形信息。

在本發(fā)明的另一較佳實施方式中，所述掃描機臺中還設有比對模塊，所述步驟3中通過掃描機臺中的比對模塊進行比對。

在本發(fā)明的另一較佳實施方式中，所述步驟3中的比對模塊中設有圖形電路設計圖數據庫，所述步驟3中包括將用于與晶圓的圖形信息比對的圖形電路設計圖輸入到圖形電路設計圖數據庫中。

在本發(fā)明的另一較佳實施方式中，所述步驟3中還包括將比對結果進行降噪處理，并通過比對出的差異識別是否存在缺陷。