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[發明專利]一種面積優化的混合信號偽三型補償電路有效

專利信息
申請號: 201210343412.6 申請日: 2012-09-17
公開(公告)號: CN102882374A 公開(公告)日: 2013-01-16
發明(設計)人: 甄少偉;胡烽;龔靖;龔劍;羅萍;賀雅娟 申請(專利權)人: 電子科技大學
主分類號: H02M3/155 分類號: H02M3/155;H02M1/44
代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211 代理人: 冉鵬程
地址: 611731 四川省成*** 國省代碼: 四川;51
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 一種 面積 優化 混合 信號 偽三型 補償 電路
【權利要求書】:

1.一種面積優化的混合信號偽三型補償電路,其特征在于:包括高通濾波器、低通濾波器和鋸齒波產生電路,所述高通濾波器將反饋電壓與基準電壓的差值轉換成誤差電流,所述低通濾波器將誤差電流轉換成電壓信號,為PWM比較器提供一個輸入電壓,所述鋸齒波產生電路將電源成正比的電流與誤差電流之和轉化成鋸齒波電壓,為PWM比較器提供另一個輸入電壓。

2.根據權利要求1所述的一種面積優化的混合信號偽三型補償電路,其特征在于:所述高通濾波器由偏置電路,零極點產生電路,電流轉電壓電路,跨導放大電路和誤差電流鏡像電路五部分組成;偏置電路由一個偏置源IB和一個NMOS管M21組成;零極點產生電路由六個PMOS管—分別是M1、M2、M5、M6、M7和M8,六個NMOS管—分別是M3、M4、M22、M23、M24和M25,兩個電阻—分別是R1、R2,和兩個電容—分別是C1和C2組成;電流轉電壓電路由兩個PMOS管—分別是M11和M12,兩個NMOS管—分別是M9和M10和兩個電阻—分別是R3和R4組成;跨導放大電路由四個PMOS管—分別是M15、M16、M17和M18,和五個NMOS管—分別是M13、M14、M19、M20和M26組成;誤差電流鏡像電路由一個PMOS管Mep和一個NMOS管Men組成。

3.根據權利要求2所述的一種面積優化的混合信號偽三型補償電路,其特征在于:所述偏置電路的連接關系為:偏置源IB跨接在電源VDD和NMOS管M21的漏上,NMOS管M21柵與漏短接,其源接地電位VSS;偏置電路為零極點電路、電流轉電壓電路和跨導放大電路提供電流偏置。

4.根據權利要求3所述的一種面積優化的混合信號偽三型補償電路,其特征在于:所述零極點產生電路的連接關系為:PMOS管M1、M2的柵分別連接輸入信號VFB和VREF,電阻R1與R2串聯連接到PMOS管M1和M2的源兩端,PMOS管M5和M6的漏分別連接到PMOS管M1和M2的源,PMOS管M5和M6的源均連接到電源VDD;電容C1跨接在PMOS管M1的源和PMOS管M5的柵上;電容C2跨接在PMOS管M2的源和PMOS管M6的柵上;PMOS管M7的漏與柵短接并與PMOS管M5的柵相連;PMOS管M8的漏與柵短接并與PMOS管M6的柵相連;PMOS管M7與M8的源連接到電源VDD;NMOS管M3與M4的柵分別連接到NMOS管M1與M2的漏,NMOS管M3與M4的漏分別連接到NMOS管M1與M2的源;NMOS管M3與M4的源均連接到地點位VSS;NMOS管M22、M23、M24、M25的柵連接到偏置電路中NMOS管M21的柵;NMOS管M22、M23、M24、M25的源均接地電位VSS;NMOS管M22、M23、M24、M25的漏分別連接到PMOS管M7、M1、M2和M8的漏,零極點產生電路的輸出為流過NMOS管M3和M4的電流。

5.根據權利要求4所述的一種面積優化的混合信號偽三型補償電路,其特征在于:所述電流轉電壓電路的連接關系為:NMOS管M9與M10的柵分別和PMOS管M1與M2的漏相連;PMOS管M11和M12的柵與漏短接,源都連接到電源VDD;電阻R3與R4分別跨接在PMOS管M11的漏與NMOS管M9的漏兩端和PMOS管M12的漏與NMOS管M10的漏兩端;NMOS管M9與M10的源均連接到地點位VSS;NMOS管M9和M10分別鏡像流過NMOS管M3和M4的電流,并通過PMOS管M11、M12,電阻R3和R4轉換為電壓信號。

6.根據權利要求5所述的一種面積優化的混合信號偽三型補償電路,其特征在于:所述跨導放大電路的連接關系為:NMOS管M13與M14的柵分別連接到NMOS管M9與M10的漏,NMOS管M13與M14的源短接并與NMOS管M25的漏相連;PMOS管M15柵與漏短接,并連接到NMOS管M13的漏;PMOS管M16柵與漏短接,并連接到NMOS管M14的漏;PMOS管M17的柵與PMOS管M15的柵相連,漏與NMOS管M19的漏和柵相連;PMOS管M18的柵與PMOS管M16的柵相連,漏與NMOS管M20的漏相連;NMOS管M20的柵與NMOS管M19的柵相連;PMOS管M15、M16、M17和M18的源均連接到電源VDD;NMOS管M19、M20、M26的源均接地電位VSS,其柵均連接到偏置源IB的負端;跨導放大電路為誤差信號提供增益,其輸出為電流誤差信號。

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