[發明專利]一種用于太陽能電池的鏈式擴散工藝

有效

• 申請號: 201210343340.5
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN102881767A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 李質磊;袁澤銳;林洪峰;張鳳鳴;盛雯婷
• 申請（專利權）人: 天威新能源控股有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B41M1/12;C30B31/06
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 廖曾

1.?一種用于太陽能電池的鏈式擴散工藝，其特征在于：包括如下步驟：

步驟A：采用絲網印刷磷漿工藝進行鏈式擴散或噴涂磷酸水溶液工藝進行鏈式擴散，在基體硅片（1）表面形成絲網印刷表層磷漿層（2）；?

步驟B：在步驟A后，進行高溫鏈式擴散工藝處理，將絲網印刷表層磷漿層（2）轉化，等形成的P原子擴散進入基體硅片表面形成N型層，同時基體硅片表面形成有雜質層，我們將N型層和雜質層總稱為鏈式擴散后表層雜質分布層（3）；

步驟C：在步驟B后，對鏈式擴散后表層雜質分布層（3）的表面進行氧化處理，在鏈式擴散后表層雜質分布層（3）表面快速生長一層均勻分布的氧化層（4）；

步驟D：將步驟C中的氧化層（4）去除，形成去除氧化層后硅片表面雜質分布層（5）。

2.?根據權利要求1所述的一種用于太陽能電池的鏈式擴散工藝，其特征在于：所述絲網印刷磷漿工藝進行鏈式擴散的方法為：利用網版將磷漿均勻地印刷在基體硅片（1）的表面；高溫鏈式擴散工藝處理為：將印刷有磷漿的基體硅片（1）通過有不同溫區的鏈式擴散爐，在高溫處理下磷漿中的有機聚合物在高溫下分解然后通過排風系統排出，P原子擴散進入基體硅片表面形成N型層。

3.?根據權利要求1所述的一種用于太陽能電池的鏈式擴散工藝，其特征在于：所述氧化處理的方法為高溫濕氧氧化。

4.?根據權利要求3所述的一種用于太陽能電池的鏈式擴散工藝，其特征在于：高溫濕氧氧化的過程為：將步驟B處理后的基體硅片（1）放在密閉的高溫爐中，然后通入高溫水蒸氣，通過水蒸氣與硅片表面擴散層之間的反應來快速生長氧化層。

5.?根據權利要求1所述的一種用于太陽能電池的鏈式擴散工藝，其特征在于：步驟D中的氧化層（4）去除方法為：將步驟B之后的基體硅片（1）放在氫氟酸溶液中，待氫氟酸溶液與氧化層（4）反應后取出。

6.?根據權利要求1-5中任意一項所述的一種用于太陽能電池的鏈式擴散工藝，其特征在于：步驟B后的基體硅片（1）方阻比步驟C后的基體硅片（1）方阻低5ohm-30ohm。

7.?根據權利要求1-5中任意一項所述的一種用于太陽能電池的鏈式擴散工藝，其特征在于：步驟C后的基體硅片（1）方阻在60ohm-120ohm范圍內。