[發明專利]X射線探測器背板的制造方法及PIN光電二極管的制造方法

有效

• 申請號: 201210343082.0
• 申請日: 2012-09-14
• 公開（公告）號: CN102856441A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 郭煒;任慶榮;趙磊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L21/324;H01L21/265;H01L27/146
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;趙愛軍

1.一種PIN光電二級管的制造方法，其特征在于，所述制造方法采用離子注入和活化工藝來形成PIN光電二極管。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上沉積N型非晶硅薄膜；

在N型非晶硅薄膜上沉積本征非晶硅薄膜；

采用B₂H₆對本征非晶硅薄膜進行離子注入，并對離子注入后的本征非晶硅薄膜進行活化工藝，從而在本征非晶硅薄膜的上層形成P型非晶硅薄膜；

進行掩模光刻工藝，得到PIN光電二極管的P型層、I型層和N型層。

3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述P型層、I型層和N型層的厚度分別為：

和

4.一種X射線探測器背板的制造方法，其特征在于，所述制造方法采用離子注入和活化工藝來形成X射線探測器背板中的PIN光電二極管。

5.如權利要求4所述的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上依次形成柵電極、柵絕緣層、有源層和源漏金屬層；

在源漏金屬層上沉積N型非晶硅薄膜；

在N型非晶硅薄膜上沉積本征非晶硅薄膜；

采用B₂H₆對本征非晶硅薄膜進行離子注入，并對離子注入后的本征非晶硅薄膜進行活化工藝，從而在本征非晶硅薄膜的上層形成P型非晶硅薄膜；

在P型非晶硅薄膜上沉積第一透明電極層；

進行掩模光刻工藝，形成第一透明電極層、PIN光電二極管、源電極和漏電極的圖形，其中，PIN光電二極管的N型層與漏電極電連接；

沉積鈍化層和第一樹脂層，并在鈍化層和第一樹脂層上形成過孔；

形成第二透明電極層、電極引線和第二樹脂層，所述電極引線通過過孔與PIN光電二極管的P型層電連接。

6.如權利要求4所述的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上依次形成柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極；

在形成有源電極和漏電極的基板上沉積N型非晶硅薄膜；

在N型非晶硅薄膜上沉積本征非晶硅薄膜；

采用B₂H₆對本征非晶硅薄膜進行離子注入，并對離子注入后的本征非晶硅薄膜進行活化工藝，從而在本征非晶硅薄膜的上層形成P型非晶硅薄膜；

在P型非晶硅薄膜上沉積第一透明電極層；

進行掩模光刻工藝，形成第一透明電極層和PIN光電二極管的圖形，其中，PIN光電二極管的N型層與漏電極電連接；

沉積鈍化層和第一樹脂層，并在鈍化層和第一樹脂層上形成過孔；

形成第二透明電極層、電極引線和第二樹脂層，所述電極引線通過過孔與PIN光電二極管的P型層電連接。

7.如權利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述PIN光電二極管的P型層、I型層和N型層的厚度分別為：

和

8.如權利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述電極引線通過過孔與PIN光電二極管的P型層電連接為：所述電極引線在所述過孔區域通過所述第一透明電極層和所述第二透明電極層與PIN光電二極管的P型層電連接。