[發明專利]半導體封裝用環氧樹脂組合物和使用該組合物的半導體裝置有效
| 申請號： | 201210342404.X | 申請日： | 2012-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN103122124A | 公開（公告）日： | 2013-05-29 |
| 發明（設計）人： | 杉本直哉;市川智昭;巖重朝仁;矢野里美 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | C08L63/00 | 分類號： | C08L63/00;C08L61/06;C08L23/20;C08K13/02;C08K3/22;C08K3/30;C08K3/26;C08K3/28;C08K3/36;C08K3/34;C08K5/09;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 楊海榮;穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 環氧樹脂 組合 使用 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體封裝用環氧樹脂組合物，包含如下成分(A)至(F)：
(A)環氧樹脂；
(B)酚醛樹脂；
(C)固化促進劑；
(D)無機填料；
(E)水滑石化合物；和
(F)含羧基的蠟，所述蠟具有10至100mg?KOH/g的酸值。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其中作為成分(A)的所述環氧樹脂是具有聯苯基的環氧樹脂。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其中作為成分(E)的所述水滑石化合物是以如下通式(1)表示的化合物：
[L2+1-xQ3+x(OH)2]x+[(An-)x/n·mH2O]x-???(1)
其中L是二價金屬離子，Q是三價金屬離子，An-是n價陰離子，x滿足0.2≤x≤0.33，且m滿足0≤m≤3.5。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其中作為成分(F)的所述蠟是氧化聚乙烯和長鏈脂族酸的混合物。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其中成分(E)的含量是全體環氧樹脂組合物的0.02至2.0重量%。
6.根據權利要求1所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物，其中成分(F)的含量是全體環氧樹脂組合物的0.02至2.0重量%。
7.一種半導體裝置，包含利用根據權利要求1所述的半導體封裝用環氧樹脂組合物封裝的半導體元件。
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