[發明專利]帶有多個外延層的橫向PNP雙極晶體管

無效

• 申請號: 201210342210.X
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN103022112A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 雪克·瑪力卡勒強斯瓦密;弗蘭茨娃·赫爾伯特
• 申請（專利權）人: 萬國半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/735
• 分類號: H01L29/735;H01L29/06
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種橫向雙極晶體管，其特征在于，包括：

一個第一導電類型的半導體襯底；

一個第一導電類型的第一掩埋層以及一個第二導電類型的第二掩埋層，都形成在所述的襯底上，第二導電類型與第一導電類型相反；以及

兩個或多個第二導電類型的外延層，連續形成在所述的襯底上，每個外延層都包括兩個或多個擴散區，形成在其中一個外延層中的擴散區與形成在鄰近外延層中的擴散區垂直對準；

其中第一組擴散區垂直對準，構成第一導電類型的連續擴散區，并且作為發射極區，第二組擴散區垂直對準，構成第一導電類型的連續擴散區，并且作為集電極區，基極區形成在發射極和集電極區之間的一個或多個外延層中。

2.如權利要求1所述的橫向雙極晶體管，其特征在于，垂直對準的第三組擴散區，進一步與所述的第一掩埋層垂直對準，構成第一導電類型的連續擴散區，并且作為一個隔離結構。

3.如權利要求1所述的橫向雙極晶體管，其特征在于，還包括：一個第二導電類型的沉降擴散區，形成在所述的一個或多個外延層中，延伸到所述的第二掩埋層，并與所述的第二掩埋層電接觸。

4.一種橫向雙極晶體管，其特征在于，包括：

一個第一導電類型的半導體襯底；

一個第一導電類型的第一掩埋層以及一個第二導電類型的第二掩埋層，都形成在襯底上，第二導電類型與第一導電類型相反；

一個第二導電類型的第一外延層，形成在襯底上；

第一導電類型的第三、第四和第五掩埋層，形成在第一外延層中，第三掩埋層與第一掩埋層垂直對準，第四和第五掩埋層形成在第二掩埋層上方；

一個第二導電類型的第二外延層，形成在第一外延層上；以及

第一導電類型的第一、第二和第三沉降區，形成在第二外延層中，第一沉降區與第三掩埋層垂直對準，第二沉降區與第四掩埋層垂直對準，第三沉降區與第五掩埋層垂直對準，

其中第一掩埋層、第三掩埋層以及第一沉降區構成一個第一導電類型的連續擴散區，并且作為隔離結構，第四掩埋層和第二沉降區構成第一導電類型的連續擴散區，并且作為發射極區，第五掩埋層和第三沉降區構成第一導電類型的連續擴散區，并且作為集電區；基極區形成在發射極和集電極區之間的第一和第二外延層中。

5.如權利要求4所述的橫向雙極晶體管，其特征在于，還包括：一個第二導電類型的沉降擴散區，形成在第一和第二外延層中，延伸到第二掩埋層，并與第二掩埋層電接觸。

6.一種用于制備橫向雙極晶體管的方法，其特征在于，包括：

制備一個第一導電類型的半導體襯底；

在襯底中，制備一個第一導電類型的第一掩埋層以及一個第二導電類型的第二掩埋層，第二導電類型與第一導電類型相反；

在襯底上，連續制備一個或多個第二導電類型的外延層；

在每個外延層中，制備兩個或多個擴散區，形成在其中一個外延層中的擴散區與形成在鄰近外延層中的擴散區垂直對準；并且

對半導體襯底以及一個或多個外延層進行退火；

其中第一組擴散區垂直對準，構成第一導電類型的連續擴散區，并且作為發射極區，第二組擴散區垂直對準，構成第一導電類型的連續擴散區，并且作為集電極區，基極區形成在發射極和集電極區之間的一個或多個外延層中。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，垂直對準的第三組擴散區，進一步與第一掩埋層垂直對準，構成第一導電類型的連續擴散區，并且作為一個隔離結構。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，還包括：在一個或多個外延層中，制備一個第二導電類型的沉降擴散區，延伸到第二掩埋層，并與第二掩埋層電接觸。