[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件以及制造半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210342117.9
• 申請日: 2012-09-14
• 公開（公告）號: CN103000612A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宇佐美達矢;北島洋
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

第一布線，所述第一布線設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方；

第一通路，所述第一通路設(shè)置在所述第一布線上方，并且在所述第一通路的底表面處與所述第一布線接觸；以及

第一絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方，并且至少與所述第一布線的頂表面和所述第一通路的側(cè)表面接觸，

其中所述第一布線和所述第一通路的每個側(cè)表面的至少一部分切斷每個金屬晶粒。

2.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

第一布線，所述第一布線設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方；

第一通路，所述第一通路設(shè)置在所述第一布線上方，并且在所述第一通路的底表面處與所述第一布線接觸；以及

第一絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方，并且至少與所述第一布線的頂表面和所述第一通路的側(cè)表面接觸，

其中所述第一布線和所述第一通路中的氟含量小于1×1019原子/立方厘米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一布線的至少一個側(cè)表面形成與所述第一通路的側(cè)表面相同的表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中在所述第一絕緣層的與所述第一布線和所述第一通路的每個側(cè)表面接觸的部分處，沒有形成通過改變所述第一絕緣層的材料而獲得的改變層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一布線或所述第一通路的寬度小于Cu中的電子的平均自由程。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述金屬中的電子的平均自由程小于Cu中的電子的平均自由程。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述金屬包括W、Mo或Ru中的任意金屬。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中在平面圖中所述第一通路的一部分從所述第一布線的不與所述第一通路重疊的部分向外突出，并且

其中在平面圖中所述第一布線的與所述第一通路重疊的部分的側(cè)表面形成與所述第一通路的側(cè)表面相同的表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中在平面圖中所述第一通路的側(cè)表面的一部分被沿著所述第一布線的不與所述第一通路重疊的部分的直線切斷，并且

其中在平面圖中所述第一布線的與所述第一通路重疊的部分的側(cè)表面形成與被沿著所述直線切斷的所述第一通路的側(cè)表面相同的表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進一步包括：

保護金屬層，所述保護金屬層用于在所述第一布線的底部處保護所述第一布線。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進一步包括：

在平面圖中所述第一布線的頂部至少與所述第一通路重疊的部分處的第一蝕刻停止層，所述第一蝕刻停止層由導(dǎo)電材料制成。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進一步包括：

保護金屬層，所述保護金屬層用于在所述第一通路頂部處保護所述第一通路。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一布線和所述第一通路由相同的金屬整體地形成。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，

其中在所述第一布線和所述第一通路彼此接觸的部分處的晶粒是連續(xù)的。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中在相同的層中設(shè)置多個所述第一布線，并且

其中所述第一絕緣層具有每個均在所述第一布線之間的氣隙。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進一步包括：

接觸插塞，所述接觸插塞與所述半導(dǎo)體襯底的頂部接觸；以及

下層通路形成層，所述下層通路形成層位于所述接觸插塞上方，并且位于包括在其中設(shè)置的所述第一布線的所述第一絕緣層下，

其中所述下層通路形成層包括：

下層通路，所述下層通路耦合至所述接觸插塞的頂部，以及

第一絕緣層，所述第一絕緣層與所述下層通路的側(cè)表面接觸，并且

其中所述下層通路的側(cè)表面的至少一部分切斷所述下層通路的金屬的晶粒。