[發明專利]測試MOS器件溫度特性的結構及方法

有效

• 申請號: 201210342022.7
• 申請日: 2012-09-14
• 公開（公告）號: CN102841300A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 何燕冬;張鋼剛;劉曉彥;張興
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種測試MOS器件溫度特性的結構，其特征在于，所述結構包括：加熱結構、待測試的MOS器件和PN結，所述加熱結構為一側有開口的框型電阻結構，所述MOS器件和所述PN結位于所述加熱結構內部。

2.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述MOS器件的襯底和源極、所述PN結的N端以及加熱結構的一端共接低電位，所述加熱結構的另一端接高電位。

3.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述PN結用于進行溫度校準。

4.一種測試MOS器件溫度特性的方法，其特征在于，包括：

A：利用PN結和外部溫控進行第一溫度校準，測量在不同溫度下PN結的電流，得到PN結第一電流與外部溫控溫度的第一關系；

B：利用PN結和加熱結構進行第二溫度校準，通過改變施加在加熱結構兩端的電流或電壓，同時測量所述PN結的電流，得到PN結第二電流和加熱結構兩端的電流或電壓的第二關系；

C：當PN結第一電流和第二電流一致時，根據第一關系和第二關系，得到加熱結構電流或電壓與外部溫控溫度的第三關系；

D：在MOS器件的柵極、漏極、襯底和源極端加上固定電壓，并對加熱結構兩端的電流或電壓進行線性改變，同時對MOS器件的漏極端電流進行測量，根據加熱結構兩端的電流或電壓與外部溫控溫度的第三關系得到MOS器件溫度特性。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，通過改變MOS器件柵極上的電壓，得到MOS器件不同狀態下的溫度特性。