[發明專利]一種形成第一銅金屬層的方法

無效

• 申請號: 201210341661.1
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN102931131A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 張文廣;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種形成第一銅金屬層的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：在具有底層器件結構的硅片上，從下至上順序依次沉積刻蝕阻擋層、介電質層、硬掩膜層和介質抗反射層后，繼續光刻、刻蝕工藝，回蝕所述介質抗反射層、硬掩膜層、介電質層和刻蝕阻擋層至所述具有底層器件結構的硅片的上表面，去膠清洗后形成第一金屬層溝槽；其中，在刻蝕工藝中所述介質抗反射層被完全去除，所述硬掩膜層的表面部分也被部分刻蝕，且所述硬掩膜層的材質為非晶碳；

步驟S2：沉積阻擋層覆蓋剩余硬掩膜層的上表面和所述第一金屬層溝槽的底部及其側壁，并繼續填充并電鍍金屬銅充滿所述第一金屬層溝槽并覆蓋所述阻擋層的上表面；

步驟S3：采用研磨工藝去除多余銅至所述剩余硬掩膜層，并去除所述剩余硬掩膜層。

2.根據權利要求1所述的形成第一銅金屬層的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材質為氮化硅或摻氮的碳化硅。

3.根據權利要求1所述的形成第一銅金屬層的方法，其特征在于，所述介電質層的材質為二氧化硅或摻碳的二氧化硅。

4.根據權利要求1所述的形成第一銅金屬層的方法，其特征在于，采用灰化工藝去除所述剩余硬掩膜。

5.根據權利要求1所述的形成第一銅金屬層的方法，其特征在于，所述研磨工藝為化學機械研磨工藝。

6.根據權利要求1所述的形成第一銅金屬層的方法，其特征在于，所述阻擋層的材質為氮化鉭/鉭。