[發明專利]一種制備頂層金屬互聯工藝刻蝕中間停止層的方法

有效

• 申請號: 201210341630.6
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN102891103A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 徐靈芝;徐強;張文廣;鄭春生
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種制備頂層金屬互聯工藝刻蝕中間停止層的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：在一制備有底部金屬槽的襯底薄膜的上表面，從上至下順序依次沉積刻蝕停止層和介電質層；

步驟S2：采用光刻、刻蝕工藝，刻蝕所述介電質層至所述刻蝕停止層中，形成通孔；

步驟S3：沉積底部抗反射涂層充滿所述通孔并覆蓋剩余介電質層的上表面，去除多余底部抗反射涂層，剩余底部抗反射涂層部分填充所述通孔；

步驟S4：涂布光刻膠覆蓋所述剩余底部抗反射涂層和所述剩余介電質層的上表面，曝光、顯影后，去除多余光刻膠，形成具有頂層金屬溝槽結構的光阻；

步驟S5：對所述剩余介電質層進行離子注入工藝，將部分剩余介電質層轉變為氮化硅薄膜；

步驟S6：以所述光阻為掩膜刻蝕所述氮化硅薄膜，去除所述光阻，形成頂部金屬溝槽后，去除所述剩余底部抗反射涂層和所述通孔底部剩余的刻蝕停止層至底部金屬槽的上表面；

其中，所述介電質層的材質為聚氧化乙烯。

2.根據權利要求1所述的制備頂層金屬互聯工藝刻蝕中間停止層的方法，其特征在于，所述襯底薄膜的材質為碳硅氧氫化物或聚氧化乙烯。

3.根據權利要求1所述的制備頂層金屬互聯工藝刻蝕中間停止層的方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的材質為摻碳氮化硅。

4.根據權利要求1所述的制備頂層金屬互聯工藝刻蝕中間停止層的方法，其特征在于，所述介電質層的材質為SiO₂。

5.根據權利要求1所述的制備頂層金屬互聯工藝刻蝕中間停止層的方法，其特征在于，所述離子注入工藝中注入的元素包含有氮元素。