[發(fā)明專利]一種全MOS型比較器電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210340973.0
• 申請日: 2012-09-16
• 公開（公告）號: CN103684366A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王紀云;桑園;吳勇
• 申請（專利權(quán)）人: 鄭州單點科技軟件有限公司
• 主分類號: H03K5/22
• 分類號: H03K5/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種全MOS型比較器電路。

背景技術(shù)

比較器是電子電路里面經(jīng)常用到的，現(xiàn)有技術(shù)的構(gòu)成比較器的電路一般是由雙極型晶體管、電阻和電容構(gòu)建而成的，由于雙極型晶體管自身的特性，其狀態(tài)轉(zhuǎn)換效果較差且速度較慢，其電阻是比較耗能的原件，電容作為有源元件也會影響到電路的速度。同時，雙極型晶體管、電阻和電容在集成電路里面所占的面積較大，不利于在集成電路中的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的發(fā)明目的在于：針對上述存在的問題，提供一種全MOS管構(gòu)建的全MOS型比較器電路。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案是這樣的：一種全MOS型比較器電路，該全MOS型比較器電路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管。

所述各MOS管間的連接關(guān)系為：第一PMOS管的源極連接電壓源，漏極連接第二PMOS管的源極和第三PMOS管的源極，柵極連接第二PMOS管的漏極、第一NMOS管的漏極和第二NMOS管的柵極；第二PMOS管的柵極與第一NMOS管的柵極和第一輸入端連接；第三PMOS管的柵極與第四PMOS管的柵極和第二輸入端連接，漏極與第四PMOS管的源極、第五PMOS管的柵極和第六PMOS管的柵極連接；第四PMOS管的漏極與第一NMOS管的源極和第二NMOS管的漏極連接；第五PMOS管的漏極與第六PMOS管的源極和輸出端連接；第六PMOS管的漏極接地；第二NMOS管的源極接地。

上述的電路中。所述第三PMOS管和第四PMOS管為參數(shù)相同的PMOS管，所述第五PMOS管和第六PMOS管為參數(shù)相同的PMOS管。

綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果是：全MOS結(jié)構(gòu)，MOS管的控制特性好，相應(yīng)速度快，在集成電路中所占面積小，適合用于集成電路中設(shè)計該全MOS型比較器電路。

附圖說明

圖1是本發(fā)明全MOS型比較器電路的電路原理圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明作詳細的說明。

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

如圖1所示，是本發(fā)明全MOS型比較器電路的電路原理圖。

本發(fā)明的一種全MOS型比較器電路，該全MOS型比較器電路包括六只PMOS管和兩只NMOS管；其中所述六只PMOS管分別為：第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5和第六PMOS管P6，兩只NMOS管分別為：第一NMOS管N1和第二NMOS管N2；在本發(fā)明的電路中，所述第三PMOS管P3和第四PMOS管P4選用參數(shù)相同的PMOS管，所述第五PMOS管P5和第六PMOS管P6選用參數(shù)相同的PMOS管。

下面結(jié)合圖1對本發(fā)明上述的8個MOS管之間的連接關(guān)系做進一步的說明：所述第一PMOS管P1的源極連接電壓源VDD，漏極連接第二PMOS管P2的源極和第三PMOS管P3的源極，柵極連接第二PMOS管P2的漏極、第一NMOS管N1的漏極和第二NMOS管N2的柵極；第二PMOS管P2的柵極與第一NMOS管N1的柵極和第一輸入端IN1連接；第三PMOS管P3的柵極與第四PMOS管P4的柵極和第二輸入端連接，漏極與第四PMOS管P4的源極、第五PMOS管P5的柵極和第六PMOS管P6的柵極連接；第四PMOS管P4的漏極與第一NMOS管N1的源極和第二NMOS管N2的漏極連接；第五PMOS管P5的漏極與第六PMOS管P6的源極和輸出端OUT連接；第六PMOS管P6的漏極接地；第二NMOS管N2的源極接地。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。