[發明專利]一種驅動發光器件的單片集成電路

無效

• 申請號: 201210340965.6
• 申請日: 2012-09-16
• 公開（公告）號: CN103687145A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 王紀云;吳勇;桑園
• 申請（專利權）人: 鄭州單點科技軟件有限公司
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種驅動發光器件的單片集成電路，包括第一輸入端（IN1）、第二輸入端（IN2）和輸出端（OUT），所述輸出端（OUT）連接至發光器件，其特征在于，該電路還包括第一PMOS晶體管（P1）、第二PMOS晶體管（P2）、第三PMOS晶體管（P3）、第一NMOS晶體管（N1）、第二NMOS晶體管（N2）、第三PMOS晶體管（N3）、第一電容（C1）和第二電容（C2）；所述第三NMOS晶體管（N3）與第四NMOS晶體管（N4）為參數相同的NMOS晶體管,?所述第三PMOS晶體管（P3）與第二PMOS晶體管（P2）為參數相同的PMOS晶體管；

所述第一輸入端（IN1）連接至第一NMOS晶體管管（N1）的柵極、第二PMOS晶體管（P2）的柵極和第二NMOS晶體管（N2）的柵極，第二輸入端（IN2）連接至第一PMOS晶體管（P1）的柵極、第三NMOS晶體管（N3）的柵極和第四NOMS晶體管（N4）的柵極；第一電容（C1）的一端連接至輸出端（OUT）和第二PMOS晶體管（P2）的源極，另一端連接至第一PMOS晶體管（P1）的漏極和第一NMOS晶體管（N1）的源極；第二電容（C2）的一端連接至第四NMOS晶體管（N4）的漏極和第三PMOS晶體管（P3）的柵極，另一端連接至第一PMOS晶體管（P1）的漏極和第一NMOS晶體管（N1）的源極；第一PMOS晶體管（P1）的源極、第一NMOS晶體管（N1）的漏極和第三PMOS晶體管（P3）的源極均連接電壓源（VDD）；第三NMOS晶體管（N3）的源極和第四NMOS晶體管（N4）的源極均接地；第二NMOS晶體管（N2）的漏極連接至第二PMOS晶體管（P2）的漏極和第三PMOS晶體管（P3）的漏極，源極連接至第三NMOS晶體管（N3）的漏極。