[發明專利]介質隔離壓阻式壓力傳感器及其制備方法

有效

• 申請號: 201210340683.6
• 申請日: 2012-09-15
• 公開（公告）號: CN102998037A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 汪祖民;展明浩;呂東鋒;郭群英;徐棟;黃斌;王鵬;何凱旋
• 申請（專利權）人: 華東光電集成器件研究所
• 主分類號: G01L1/18
• 分類號: G01L1/18;B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113
• 代理人: 楊晉弘

1.一種介質隔離壓阻式壓力傳感器，其特征在于包括：SOI硅片以及鍵合連接的下蓋板（6），SOI硅片的頂層硅（5c）中設有一組壓敏體電阻（1），壓敏體電阻（1）周圍設有隔離介質（2a），頂層硅（5c）表面設有氧化隔離層（2），氧化隔離層（2）的表面設有一組鋁電極（4），每個鋁電極分別通過導線與對應的壓敏體電阻（1）連接；SOI硅片的底層硅（5）中設有空腔，空腔中部設有凸起的硅島（5a）。

2.根據權利要求1所述的一種介質隔離壓阻式壓力傳感器，其特征在于所述的一組壓敏體電阻（1）分別布設在頂層硅（5c）四邊的中間位置。

3.一種介質隔離壓阻式壓力傳感器的制備方法，包括以下步驟：

（1）、SOI硅片表面淀積氮化硅；

（2）、SOI硅片底層硅光刻、腐蝕形成空腔及硅島；

（3）、SOI硅片頂層硅正面光刻、刻蝕出體電阻的隔離槽，隔離槽中的頂層硅形成壓敏體電阻；

（4）、SOI硅片熱氧化，在隔離槽中填充絕緣介質；

（5）、SOI硅片雙面去除氮化硅；

（6）、SOI硅片雙面生長氧化絕緣層；

（7）、SOI硅片頂層硅正面光刻壓敏電阻接線孔；

（8）、SOI硅片頂層硅正面濺射鋁，光刻鋁電極、鋁布線圖形，并腐蝕形成電極鋁及鋁布線；

（9）、SOI硅片底層硅與下蓋板鍵合，進行下蓋板真空封裝。