[發(fā)明專利]一種OOK射頻接收機

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210340017.2
• 申請日: 2012-09-13
• 公開（公告）號: CN102882821A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄒偉;趙博;楊華中
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號: H04L27/06
• 分類號: H04L27/06
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種OOK射頻接收機，其特征在于，包括：

天線；

與所述天線相連的低噪聲放大器，其中，所述低噪聲放大器采用電流復(fù)用結(jié)構(gòu)；

與所述低噪聲放大器相連的射頻信號放大器，其中，所述射頻信號放大器采用反相器結(jié)構(gòu)；

與所述射頻信號放大器相連的包絡(luò)檢波器，其中，所述包絡(luò)檢波器為峰值包絡(luò)檢波器；

與所述包絡(luò)檢波器相連的基帶信號放大器；

與所述基帶信號放大器相連的比較器，其中，所述比較器為動態(tài)比較器。

2.如權(quán)利要求1所述的OOK射頻接收機，其特征在于，所述低噪聲放大器進(jìn)一步包括：

第一NMOS管和第一PMOS管，所述第一NMOS管的源極與所述第一PMOS管的源極相連，所述第一NMOS管的柵極與電源相連，所述第一PMOS管的柵極與第一PMOS管的漏極相連，其中，所述第一NMOS管和第一PMOS管之間具有第一節(jié)點；

第二NMOS管和第二PMOS管，所述第二NMOS管的源極與所述第二PMOS管的源極相連，所述第二NMOS管的漏極與所述第一PMOS管的漏極相連，所述第二PMOS管的柵極與地相連，所述第二NMOS管的柵極與第二NMOS管的漏極相連，其中，所述第二NMOS管和第二PMOS管之間具有第二節(jié)點；

第一電感，所述第一電感的一端與電源相連，所述第一電感的另一端與所述第一NMOS管的漏極相連，

第一電容，所述第一電容與所述第一電感并聯(lián)；

第二電感，所述第二電感的一端與地相連，所述第二電感的另一端與所述第二PMOS管的漏極相連，

第二電容，所述第二電容與所述第二電感并聯(lián)；

第一交流耦合電容和第二交流耦合電容，所述第一交流耦合電容的一端與所述天線相連，所述第一交流耦合電容的另一端與所述第一節(jié)點相連，所述第二交流耦合電容的一端與所述天線相連，所述第二交流耦合電容的另一端與所述第二節(jié)點相連；以及

第三交流耦合電容和第四交流耦合電容，所述第三交流耦合電容的一端與輸出端相連，所述第三交流耦合電容的另一端與所述第一NMOS管的漏極相連，所述第四交流耦合電容的一端與輸出端相連，所述第四交流耦合電容的另一端與所述第二PMOS管的漏極相連。

3.如權(quán)利要求1所述的OOK射頻接收機，其特征在于，所述射頻信號放大器為多級反相器級聯(lián)結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述的OOK射頻接收機，其特征在于，所述包絡(luò)檢波器進(jìn)一步包括：

第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏極與電源相連，所述第三NMOS管的源極為所述包絡(luò)檢波器的輸出端；

放電電阻，所述放電電阻的一端接地，所述放電電阻的另一端與所述第三NMOS管的源極相連；

濾波電容，所述濾波電容與所述放電電阻并聯(lián)；

偏置電阻，所述偏置電阻的一端與偏置電壓相連，所述偏置電阻的另一端與所述第三NMOS管的柵極相連；

耦合電容，所述耦合電容的一端與所述射頻信號放大器相連，所述耦合電容的另一端與所述第三NMOS管的柵極相連。

5.如權(quán)利要求1所述的OOK射頻接收機，其特征在于，所述比較器包括動態(tài)比較器子模塊和輸出緩沖器子模塊。