[發明專利]正裝結構的高壓直流或交流芯片

無效

• 申請號: 201210339640.6
• 申請日: 2012-09-14
• 公開（公告）號: CN102881707A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 金木子
• 申請（專利權）人: 金木子;彭暉
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及低價的正裝結構的高壓直流或交流芯片。

背景技術

正裝結構的高壓直流或交流芯片已經被推到通用照明市場上。為了使得LED更快的進入巨大的通用照明領域，仍然需要想盡一切辦法，進一步提高正裝結構的高壓直流或交流LED芯片的性能和降低生產成本。

正裝結構的高壓直流或交流LED芯片的產品結構和生產工藝上的任何一點小的改進而帶來的芯片性能的提高和生產成本的降低，都會加快LED進入通用照明市場的速度，產生巨大的經濟效益。

因此，需要低價的正裝結構的高壓直流或交流芯片。

發明內容

本發明的目的是提供低價的正裝結構的高壓直流或交流芯片，以減少生長成本，提高驅動電流的密度。

低價的正裝結構的高壓直流或交流芯片，包括：

生長襯底：生長襯底包括，硅襯底、藍寶石襯底、碳化硅襯底、氮化鎵襯底、砷化鎵襯底、石墨襯底、玻璃襯底、氮化鋁襯底、氧化鋁襯底、氮化鋁陶瓷襯底，等；

多個單元半導體外延薄膜：單元半導體外延薄膜形成在生長襯底上；單元半導體外延薄膜包括：依次形成在生長襯底上的n-類型限制層、活化層和p-類型限制層；每個單元半導體外延薄膜和其下面的生長襯底形成單元芯片；單元半導體外延薄膜的材料是從一組材料中選出，該組材料包括：(1)氮化鎵基材料；所述的氮化鎵基材料包括，GaN，AlGaN，GaInN，AlGaInN；(2)磷化鎵基材料；所述的磷化鎵基材料包括，GaP，AlGaP，GaInP，AlGaInP；(3)氮磷鎵基材料；所述的氮磷鎵材料包括，GaNP，AlGaNP，GaInNP，AlGaInNP；(4)氧化鋅基材料，包括，ZnO。

在預定的位置，單元半導體外延薄膜的部分n-類型限制層暴露；

相鄰的單元半導體外延薄膜之間，生長襯底暴露；

鈍化層：鈍化層層疊在每個單元半導體外延薄膜以及相鄰的單元半導體外延薄膜之間的暴露的生長襯底上；鈍化層在單元半導體外延薄膜的p-類型限制層的上方的預定的位置上具有窗口，p-類型限制層在窗口中暴露；鈍化層在單元半導體外延薄膜的暴露的n-類型限制層的上方的預定的位置上具有窗口，n-類型限制層在窗口中暴露；

鈍化層包括，二氧化硅鈍化層、氮化硅鈍化層。

透明電極：透明電極包括至少一個p-透明電極和至少一個連接透明電極；

p-透明電極通過鈍化層在p-類型限制層上方的窗口，層疊在p-類型限制層上；

連接透明電極把一個芯片上的單元芯片連接成高壓直流連接或交流連接，使其成為一個低價正裝結構的高壓直流或交流芯片。

一個實施實例：連接透明電極把全部單元芯片以串聯方式連接，形成低價正裝結構的高壓直流芯片。

一個實施實例：連接透明電極通過鈍化層在一個單元半導體外延薄膜的p-類型限制層上方的窗口和相鄰的另一個單元半導體外延薄膜的暴露的n-類型限制層的上方的窗口，層疊在一個單元半導體外延薄膜的p-類型限制層和相鄰的另一個單元半導體外延薄膜的暴露的n-類型限制層以及p-類型限制層上方的窗口和相鄰的另一個單元半導體外延薄膜的暴露的n-類型限制層的上方的窗口之間的鈍化層上，使得一個單元半導體外延薄膜的p-類型限制層通過連接透明電極與相鄰的另一個單元半導體外延薄膜的n-類型限制層形成串聯電聯接。

連接透明電極把全部單元芯片以整流橋的方式連接或者以串聯和并聯混合的方式連接，形成低價正裝結構的交流芯片。

整流橋包括至少兩個節點，在節點處，連接透明電極把兩個單元半導體外延薄膜的相同類型的限制層和另一個單元半導體外延薄膜的不同類型的限制層連接，形成整流橋式電連接。

一個實施實例：正裝結構的高壓直流或交流芯片包括至少一個n-透明電極，n-透明電極通過鈍化層在暴露的n-類型限制層的上方的窗口，層疊在暴露的n-類型限制層上。

透明電極具有單層或多層結構：每一層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，導電氧化物材料、金屬材料、銀納米線、碳納米管、石墨烯；所述的導電氧化物材料包括：ITO(氧化銦錫)，IZO(氧化銦鋅)，CTO(氧化鎘錫)，ZnO:Al，AuAlO2，LaCuOS，CuGaO，SrCuO2，ZnGa2O4，SnO2:Sb，Ga2O3:Sn，In2O3:Zn，NiO，MnO，CuO，SnO，GaO，FTO；所述的金屬材料包括：Ni/Au，Ni/Pt，Ni/Pd，Ni/Co，Pd/Au，Pt/Au，Ti/Au，Cr/Au，Sn/Au，Zr，Hf，V，Nb。