[發明專利]空氣橋電極互聯陣列式LED器件的制作方法

無效

• 申請號: 201210339269.3
• 申請日: 2012-09-13
• 公開（公告）號: CN102832225A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 張楊;詹騰;李璟;劉志強;伊曉燕;王國宏
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種空氣橋電極互聯陣列式LED器件的制作方法，包括以下步驟：

步驟1：取外延結構，該外延結構包括襯底、N型氮化鎵層、有源層和P型氮化鎵層；

步驟2：采用光刻的方法制作掩膜，選擇性刻蝕至外延結構上的N型氮化鎵層，形成N型臺階，在外延結構的表面再次制作掩膜，將部分N型氮化鎵層刻蝕至襯底，形成隔離的深槽；

步驟3：在外延結構的上表面沉積絕緣介質層，采用光刻的方法，腐蝕掉深槽側壁以外的絕緣介質層；

步驟4：在外延結構表面制作一層薄膜材料；

步驟5：采用光刻的方法制作掩膜，去掉除深槽以外的薄膜材料，使深槽中填滿薄膜材料；

步驟6：采用光刻的方法，在制作有薄膜材料的外延結構的上表面，通過旋涂光刻膠，制作掩膜；

步驟7：采用曝光、顯影工藝將電極圖形轉移到外延結構和薄膜材料上；

步驟8：采用蒸鍍的方法，制作金屬層；

步驟9：采用lift-off工藝，形成金屬電極；

步驟10：通過浸泡或腐蝕的方法，將深槽內的薄膜材料去掉形成懸空的橋型電極互聯結構。

2.根據權利要求1所述的空氣橋電極互聯陣列式LED器件制作方法，其中襯底為藍寶石、硅、碳化硅或氮化鎵，該襯底為圖形化襯底或平面襯底。

3.根據權利要求1所述的空氣橋電極互聯陣列式LED器件制作方法，其中步驟2中的掩膜為厚膠或二氧化硅與普通膠的雙重掩膜。

4.根據權利要求1所述的空氣橋電極互聯陣列式LED器件制作方法，其中薄膜材料為二氧化硅、光刻膠、旋涂玻璃、氮氧化硅或氮化硅。

5.根據權利要求1所述的空氣橋電極互聯陣列式LED器件制作方法，其中金屬電極選自于包括Ti、Au、Pt、Al、Ni、Cr或Ag或及其組合。