[發明專利]形成淺溝槽隔離區的方法

在審

• 申請號: 201210338682.8
• 申請日: 2012-09-13
• 公開（公告）號: CN103681449A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 張飛;楊玲;夏雁賓
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種形成淺溝槽隔離區的方法，該方法包括：

在半導體襯底上依次形成隔離氧化層和氮化硅層；

依次刻蝕氮化硅層、隔離氧化層及半導體襯底，在所述半導體襯底內形成溝槽；

在所述溝槽內部表面生長一層襯墊氧化硅；

對所述襯墊氧化硅進行退火處理；

在溝槽內進行氧化物的填充及拋光，形成淺溝槽隔離區，并去除所述氮化硅層；

其特征在于，對所述襯墊氧化硅進行退火處理時，通入氧氣以提高襯墊氧化硅的形成質量。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用高密度等離子體化學氣相沉積HDPCVD方法在溝槽內填充氧化物。