[發明專利]一種單片誤差放大器

無效

• 申請號: 201210338042.7
• 申請日: 2012-09-13
• 公開（公告）號: CN103684291A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 王紀云;桑園
• 申請（專利權）人: 鄭州單點科技軟件有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種單片誤差放大器，特別是一種采用兩級高增益放大電路和補償電路結構的半導體單片誤差放大器。

背景技術

單片誤差放大器嘗用在需要精確控制其信號精度的電路或系統中，用于將誤差放大便于對該誤差進行識別和進行頻率補償。

現有技術的單片誤差放大器增益效果不好，特別是用在半導體集成電路中時在高開環增益的條件下環路及其不穩定，在頻率的補償上也比較麻煩。

發明內容

本發明的發明目的在于：針對上述存在的問題，提供一種適用于半導體集成電路的單片誤差放大器。

本發明采用的技術方案是這樣的：一種單片誤差放大器，包括并聯連接的第二級放大電路和補償電路，還包括與所述第二級放大電路和補償電路的并聯電路串聯的第一級放大電路。

所述第一級放大電路包括：P型的第一MOS管、第二MOS管、第五MOS管、第六MOS管，N型的第三MOS管、第四MOS管、第七MOS管、第八MOS管，外接的第一偏執基準電壓、第二偏執基準電壓，第一輸入端，第二輸入端，恒流源；輸入電壓與第一MOS管的源極和第五MOS管的源極連接，第一MOS管的漏極與第二MOS管的源極連接，第五MOS管的源極與第六MOS管的源極連接，第二MOS管的漏極與第三MOS管的漏極連接，第三MOS管的源極與第四MOS管的漏極連接，第六MOS管的漏極與第七MOS管的漏極連接，第七MOS管的源極與第八MOS管的漏極連接，第四MOS管的源極和第八MOS管的源極與恒流源的輸出端連接，恒流源的另一端接地，第一偏執基準電壓與第三MOS管的柵極和第七MOS管的柵極連接，第二偏執基準電壓與第一MOS管的柵極和第五MOS管的柵極連接，第一輸入端與第四MOS管的柵極連接，第二輸入端與第八MOS管的柵極連接，第二MOS管的漏極與第一MOS管的柵極連接。

所述第二級放大電路包括：P型的第十MOS管、第十一MOS管，N型的第十二MOS管、第十三MOS管，外接的第三偏執基準電壓、第四偏執基準電壓、第五偏執基準電壓，輸出端；輸入電壓與第十MOS管的源極連接，第十MOS管的漏極與第十一MOS管的源極連接，第十一MOS管的漏極與第十二MOS管的漏極和輸出端連接，第十二MOS管的源極與第十三MOS管的漏極連接，第十三MOS管的源極接地；第十MOS管的柵極與第一放大電路的第六MOS管的漏極和第七MOS管的漏極連接，第十一MOS管的柵極與第三偏執基準電壓連接，第十二MOS管的柵極與第四偏執基準電壓連接，第十三MOS管的柵極與第五偏執基準電壓連接。

所述補償電路包括第一電阻和第一電容；第一電阻的一端與第一級放大電路的第六MOS管的漏極、第七MOS管的漏極以及第二級放大電路的第十MOS管的柵極連接，另一端與第一電容的一端連接，第一電容與第十一MOS管的漏極、第十二MOS管的漏極和輸出端連接。

綜上所述，由于采用了上述技術方案，本發明的有益效果是：該單片誤差放大器采用兩級高增益放大電路和補償電路，在高開環增益的的條件下依然可以保證環路穩定，在頻率的補償上比較方便，穩定性好。

附圖說明

圖1是本發明單片誤差放大器的電路原理圖。

具體實施方式

下面結合附圖，對本發明作詳細的說明。

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

如圖1所示，是本發明一種單片誤差放大器的電路原理圖。一種單片誤差放大器，包括兩級放大電路：第一級放大電路和第二級放大電路，第一級放大電路和第二級放大電路串聯連接，為了增強該放大器的穩定性，在第二級放大電路中并聯接入一補償電路。即該單片誤差放大器第二級放大電路和補償電路并聯，第一級放大電路與所述第二級放大電路和補償電路的并聯電路相串聯。

第一級放大電路和第二級放大電路均為高增益的放大電路。