[發(fā)明專利]透射式電場輔助光電陰極無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210337896.3 | 申請日: | 2012-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN102891190A | 公開(公告)日: | 2013-01-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 唐光華;戴麗英;鐘偉俊;徐漢成;申屠軍;李拂曉 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 夏雪 |
| 地址: | 210000 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透射 電場 輔助 光電 陰極 | ||
1.一種透射式電場輔助光電陰極,包括:
一光電陰極組件(10)和一管殼結(jié)構(gòu)組件(20);
光電陰極組件(10)包括:
一具有臺階結(jié)構(gòu)的輸入光窗(11);
一ITO膜(12),該ITO膜(12)蒸鍍在輸入光窗(11)的有效面、一個臺階面和連接該臺階面與有效面的斜面上;
第一金屬電極(13),該第一金屬電極(13)蒸鍍在輸入光窗(11)有效面以外的ITO膜(12)上;
第二金屬電極(14),該第二金屬電極(14)蒸鍍在輸入光窗(11)未蒸鍍ITO膜(12)的臺階面和連接該臺階面與有效面的斜面上;
一陰極襯底(15),該陰極襯底(15)包括P+或N+摻雜的半導體襯底,該陰極襯底(15)粘附在輸入光窗(11)的有效面上的ITO膜(12)上;
一金屬環(huán)電極(16),該金屬環(huán)電極(16)蒸鍍在陰極襯底(15)的上表面的邊緣處;
一金屬絲(17),該金屬絲(17)連接金屬環(huán)電極(16)和第二金屬電極(14);
管殼結(jié)構(gòu)組件(20)包括:
第一陶瓷環(huán)(21);
一金屬電極接觸環(huán)(22),該金屬電極接觸環(huán)(22)封接于第一陶瓷環(huán)(21)上,該金屬電極接觸環(huán)(22)與第二金屬電極(14)接觸;
第二陶瓷環(huán)(23)封接于金屬電極接觸環(huán)(22)上;
一上封接環(huán)(24),該上封接環(huán)(24)封接于第二陶瓷環(huán)(23)上,該上封接環(huán)(24)用于和光電陰極組件(10)實現(xiàn)銦封。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述透射式電場輔助光電陰極,其特征在于:所述輸入光窗(11)的材料為石英玻璃或康寧玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述透射式電場輔助光電陰極,其特征在于:所述ITO膜(12)的厚度為10nm~200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述透射式電場輔助光電陰極,其特征在于:所述第一金屬電極(13)、第二金屬電極(14)和金屬環(huán)電極(16)均包括依次設置的Cr層和Ni層,該Cr層和Ni層的總厚度為20nm~500nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述透射式電場輔助光電陰極,其特征在于:所述陰極襯底(15)還包括設置在P+或N+摻雜的半導體襯底上的P型摻雜半導體材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述透射式電場輔助光電陰極,其特征在于:所述金屬絲(17)的焊接性能好。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述透射式電場輔助光電陰極,其特征在于:所述金屬絲(17)為金絲。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述透射式電場輔助光電陰極,其特征在于:所述金屬電極接觸環(huán)(22)和上封接環(huán)(24)為可伐合金。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述透射式電場輔助光電陰極,其特征在于:所述金屬電極接觸環(huán)(22)具有一彈性接觸片,該彈性接觸片和第二金屬電極(14)接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述透射式電場輔助光電陰極,其特征在于:所述第一陶瓷環(huán)(21)的厚度大于第二陶瓷環(huán)(23)的厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





