[發明專利]圖形化傳輸層、包含該圖形化傳輸層的OLED器件及制備方法有效
| 申請號: | 201210337586.1 | 申請日: | 2012-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN102969453A | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 邱勇;段煉;張國輝;王靜;董艷波 | 申請(專利權)人: | 昆山維信諾顯示技術有限公司;清華大學;北京維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 張建綱 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖形 傳輸 包含 oled 器件 制備 方法 | ||
1.一種圖形化傳輸層,其特征在于:
所述圖形化傳輸層包括導電的高折射率區域和導電的低折射率區域,所述高折射率區域與所述低折射率區域的折射率的差值>0.2。
2.根據權利要求1所述的圖形化傳輸層,其特征在于:
所述高折射率區域與所述低折射率區域的折射率的差值>0.3。
3.根據權利要求1或2所述的圖形化傳輸層,其特征在于:
所述高折射率區域,折射率在1.8-3.0;所述低折射率區域,折射率在1.6-2.3。
4.根據權利要求3所述的圖形化傳輸層,其特征在于:
所述折射率在1.8-3.0的區域,由單獨一種折射率在1.8-3.0的高折射率材料制備,或者采用不同材料的混合物制備。
5.根據權利要求1或2所述的圖形化傳輸層,其特征在于:
所述高折射率區域,折射率在1.6-2.3;所述低折射率區域,折射率在1.1-1.6。
6.根據權利要求5所述的圖形化傳輸層,其特征在于:
所述高折射率區域,單獨采用折射率在1.6-2.3的材料;?
或者采用折射率在1.1-1.6的材料與折射率在1.6-2.3的材料的混合物;所述折射率在1.1-1.6的材料占10-90重量份,所述折射率在1.6-2.3的材料占10-90重量份;
或者采用折射率在1.1-1.6的材料與折射率在1.8-3.0的材料的混合物;所述折射率在1.1-1.6的材料占10-90重量份,所述折射率在1.8-3.0的材料占10-90重量份;
或者采用折射率在1.6-2.3的材料與折射率在1.8-3.0的材料混合得到,所述折射率在1.6-2.3的材料占10-90重量份,所述折射率在1.8-3.0的材料占10-90重量份。
7.根據權利要求1或2所述的圖形化傳輸層,其特征在于:
所述高折射率區域,折射率在1.8-3.0;所述低折射率區域,折射率在1.1-1.6。
8.根據權利要求7所述的圖形化傳輸層,其特征在于:
所述折射率在1.1-1.6的低折射率區域,單獨采用折射率在1.1-1.6的材料;
或者采用折射率在1.1-1.6的材料與折射率在1.6-2.3的材料的混合物;所述折射率在1.1-1.6的材料占10-90重量份,所述折射率在1.6-2.3的材料占10-90重量份;
或者采用折射率在1.1-1.6的材料與折射率在1.8-3.0的材料的混合物,所述折射率在1.1-1.6的材料占10-90重量份,所述折射率在1.8-3.0的材料占10-90重量份。
9.根據權利要求5-8任一所述的圖形化傳輸層,其特征在于:
所述折射率為1.1-1.6的材料包含以下無機材料:MgF2、CaF2、SiO2、BaF、B2O3、NaF、AlF3、SiO、SiO2、LiF、Na3AlF6、KF、CdF2、DyF3、LaF3、WO3中的一種或幾種;
所述折射率為1.1-1.6的材料包含以下有機材料:Teflon、Pedot-pss中的一種或幾種。
10.根據權利要求5-8任一所述的圖形化傳輸層,其特征在于:
所述折射率為1.8-3.0的材料包含ZnSe、ZnS、TiO2、Sb2S3、ZrO2、BaO、BaS、BaTiO3、Bi2O3、V2O5中的一種或幾種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





