[發明專利]類單晶鑄錠籽晶體的制作方法及類單晶鑄錠的制作方法

無效

• 申請號: 201210337523.6
• 申請日: 2012-09-13
• 公開（公告）號: CN102828231A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 何廣川;潘家明
• 申請（專利權）人: 英利集團有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 魏曉波

1.一種類單晶鑄錠籽晶體的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步驟：

11)提供橫截面晶向為[100]的整體單晶棒(1)，所述整體單晶棒(1)的表面均勻設有四條平行于其軸線的棱線(11)，將整體單晶棒(1)切割成多個小段圓柱單晶棒(2)；

12)沿經過每相鄰兩條所述棱線(11)的四個第一平面(12)切割所述小段圓柱單晶棒(2)，或者沿分別平行于四個所述第一平面(12)的四個第二平面(13)切割所述小段圓柱單晶棒(2)，將所述小段圓柱單晶棒(2)切割成位于中部的主體部分(3)和位于所述主體部分(3)外側的邊皮料(4)；

13)將多個所述邊皮料(4)的長方形側面(41)向下并排設置，拼接形成籽晶體(5)。

2.根據權利要求1所述的類單晶鑄錠籽晶體的制作方法，其特征在于，所述步驟12)中沿分別設于四個所述第一平面(12)外側、且對稱設置的四個所述第二平面(13)切割所述小段圓柱單晶棒(2)，以使每個小段圓柱單晶棒(2)切割后形成的四個所述邊皮料(4)相同，且四個所述邊皮料(4)對稱設于所述主體部分(3)外側。

3.根據權利要求2所述的類單晶鑄錠籽晶體的制作方法，其特征在于，所述步驟12)與所述步驟13)之間還包括步驟：

121)沿平行于所述軸線且垂直于所述長方形側面(41)的截面切除所述邊皮料(4)的兩側邊緣部分。

4.根據權利要求3所述的類單晶鑄錠籽晶體的制作方法，其特征在于，所述步驟121)在所述邊皮料(4)的厚度大于或等于15mm處切割。

5.根據權利要求4所述的類單晶鑄錠籽晶體的制作方法，其特征在于，所述步驟121)在所述邊皮料(4)的厚度等于15mm處切割。

6.根據權利要求1-5任一項所述的類單晶鑄錠籽晶體的制作方法，其特征在于，所述步驟11)中切割所述整體單晶棒之前還包括：

對所述整體單晶棒(1)拉直處理。

7.一種類單晶鑄錠的制作方法，包括如下步驟：

a)制作類單晶鑄錠籽晶體(5)；

b)熔融硅料，在熔融硅料初始結晶處放置所述類單晶鑄錠籽晶體；

c)控制所述熔融硅料的結晶速度，以使熔融硅料生長成適合制作太陽能電池片的類單晶鑄錠；其特征在于，

所述步驟a)中通過權利要求1-6任一項所述的制作方法獲取所述類單晶鑄錠籽晶體。

8.根據權利要求7所述的類單晶鑄錠的制作方法，其特征在于，所述步驟c)中具體通過調整熔融硅液溫度和已結晶類單晶基底散熱速度來控制所述熔融硅料的結晶速度。