[發明專利]具有靈活讀/寫輔助的存儲單元及其使用方法有效
| 申請號： | 201210337314.1 | 申請日： | 2012-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN103383859A | 公開（公告）日： | 2013-11-06 |
| 發明（設計）人： | 張琮永;李坤錫;鄭基廷 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/413 | 分類號： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孫征 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 靈活 輔助 存儲 單元 及其 使用方法 | ||
1.一種半導體器件，包括：
至少一個存儲單元管芯，所述至少一個存儲單元管芯包括：
數據存儲單元；
至少一個讀輔助使能單元，電連接至所述數據存儲單元，所述至少一個讀輔助使能單元被配置為降低字線的電壓；以及
至少一個寫輔助使能單元，電連接至所述數據存儲單元，所述至少一個寫輔助使能單元被配置為向位線或位線條中的至少一個提供負電壓。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述至少一個讀輔助使能單元包括熔絲。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述至少一個寫輔助使能單元包括熔絲。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述至少一個讀輔助使能單元包括開關。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述至少一個寫輔助使能單元包括開關。
6.一種半導體晶片，包括：
多個管芯，所述多個管芯的每一個都包括：
數據存儲單元；
至少一個讀輔助使能單元，電連接至所述數據存儲單元，所述至少一個讀輔助使能單元被配置為降低字線的電壓；以及
至少一個寫輔助使能單元，電連接至所述數據存儲單元，所述至少一個寫輔助使能單元被配置為向位線或位線條中的至少一個提供負電壓。
7.根據權利要求6所述的半導體晶片，還包括：
從所述多個管芯中選擇的至少一個第一管芯，其中，針對所述至少一個第一管芯激活所述至少一個讀輔助使能單元；以及
從所述多個管芯中選擇的至少一個第二管芯，其中，針對所述至少一個第二管芯激活所述至少一個寫輔助使能單元。
8.根據權利要求7所述的半導體晶片，其中，所述至少一個第一管芯的數量與所述至少一個第二管芯的數量相加少于所述多個管芯中的管芯的數量。
9.一種啟動讀輔助或寫輔助的方法，包括：
形成至少一個存儲單元管芯，存儲單元管芯包括：
數據存儲單元；
至少一個讀輔助使能單元，電連接至所述數據存儲單元，所述至少一個讀輔助使能單元被配置為降低字線的電壓；和
至少一個寫輔助使能單元，電連接至所述數據存儲單元，所述至少一個寫輔助使能單元被配置為向位線或位線條中的至少一個提供負電壓；
確定所述至少一個存儲單元管芯的性能；以及
基于所述至少一個存儲單元管芯的性能選擇性地激活所述至少一個讀輔助使能單元或所述至少一個寫輔助使能單元中的至少一個。
10.根據權利要求9所述的方法，其中，測試所述至少一個存儲單元管芯包括：確定字線的電壓，并且基于所述字線的確定電壓激活所述至少一個讀輔助使能單元。
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