[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210336771.9
• 申請(qǐng)日: 2006-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN103000659A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洼田岳彥;神田榮二;野澤陵一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/50;G09G3/32
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2006年11月28日、申請(qǐng)?zhí)枮?00610160486.0、發(fā)明名稱為“發(fā)光裝置及電子設(shè)備”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種利用了有機(jī)EL(ElectroLuminescent)材料等的發(fā)光材料的發(fā)光裝置的構(gòu)造。

背景技術(shù)

以往，提出了一種將根據(jù)柵極電位控制向發(fā)光元件供給的電流量的晶體管(下面稱作“驅(qū)動(dòng)晶體管”)按每個(gè)發(fā)光元件而配置的有源矩陣方式的發(fā)光裝置(例如，專利文獻(xiàn)1)。驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極連接有用于設(shè)定、保持其電位的電容元件。驅(qū)動(dòng)晶體管經(jīng)由圖案形成為規(guī)定形狀的源極金屬而與發(fā)光元件電連接。

為了對(duì)應(yīng)于發(fā)光元件的高精細(xì)化和發(fā)光裝置的小型化，需要通過靠近配置與發(fā)光元件相關(guān)的各要素來縮小各發(fā)光元件的面積。但是，會(huì)在相互接近的要素之間產(chǎn)生寄生電容。例如，由于以上構(gòu)成中的源極金屬和電容元件的各電極經(jīng)由絕緣層而靠近配置在相互重疊的位置，所以，容易在兩者之間產(chǎn)生寄生電容。而且，因寄生于各要素的電容，會(huì)導(dǎo)致阻礙發(fā)光元件的舉動(dòng)(發(fā)光的時(shí)間長與光量)的高精度控制的問題。以上述情況為背景，本發(fā)明的目的在于抑制對(duì)發(fā)光元件的發(fā)光造成影響的寄生電容。

專利文獻(xiàn)1：特開2004-119219號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明一個(gè)方式的發(fā)光裝置，在基板上配置有：控制供給到發(fā)光元件的電流量的驅(qū)動(dòng)晶體管、與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極電連接的電容元件(例如圖2的電容元件C1和圖25及圖26的電容元件C2)、和將驅(qū)動(dòng)晶體管與發(fā)光元件電連接的元件導(dǎo)通部(例如各實(shí)施方式中的元件導(dǎo)通部71、72及73)，元件導(dǎo)通部，隔著驅(qū)動(dòng)晶體管配置在與電容元件相反的一側(cè)的區(qū)域。本方式的具體例作為第一實(shí)施方式～第三實(shí)施方式將在后面敘述。

根據(jù)該構(gòu)成，由于元件導(dǎo)通部隔著驅(qū)動(dòng)晶體管配置在與電容元件相反的一側(cè)，所以，與從垂直于基板的方向觀察，在元件導(dǎo)通部配置在驅(qū)動(dòng)晶體管和電容元件的間隙的構(gòu)成相比，寄生于電容元件和元件導(dǎo)通部的電容被降低。因此，可以降低電容元件及元件導(dǎo)通部的一方的電位變動(dòng)對(duì)另一方電位的影響。

另外，電容元件典型用于設(shè)定或保持驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極的電位。例如，一個(gè)方式中的電容元件(例如圖2的電容元件C1)介于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極與數(shù)據(jù)線之間。在該構(gòu)成中，通過電容元件的電容耦合，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極被設(shè)定在數(shù)據(jù)線的電位變動(dòng)量所對(duì)應(yīng)的電位。而且，其他方式中的電容元件(例如圖25和圖26的電容元件C2)介于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極與被供給恒定電位的布線(例如電源線)之間。在該構(gòu)成中，從數(shù)據(jù)線供給到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極的電位保持于電容元件。

在本發(fā)明的優(yōu)選方式中，驅(qū)動(dòng)晶體管包括形成有溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層、和隔著柵極絕緣層而與溝道區(qū)域?qū)χ玫臇烹姌O；電容元件包括：與柵電極電連接的第一電極(例如圖2的電極E1)、和隔著柵極絕緣層而與第一電極對(duì)置的第二電極(例如圖2的電極E2)，元件導(dǎo)通部形成在覆蓋柵電極和第一電極的絕緣層(例如圖4的第一絕緣層L1)的面上。根據(jù)該方式，由于元件導(dǎo)通部與驅(qū)動(dòng)晶體管和電容元件由不同層形成，所以，可進(jìn)一步降低在元件導(dǎo)通部和電容元件之間寄生的電容。

在更優(yōu)選的方式中，電容元件的第一電極與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極連接(例如各實(shí)施方式中的中間導(dǎo)電體51、52及53)。根據(jù)該方式，與第一電極和柵電極分開形成的構(gòu)成相比，可以削減驅(qū)動(dòng)晶體管與電容元件的間隙空間。

而且，在其他的方式中，驅(qū)動(dòng)晶體管的半導(dǎo)體層和電容元件的第二電極從同一層形成。根據(jù)該構(gòu)成，與半導(dǎo)體層和電容元件由不同層形成的情況相比，可實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)單化和制造成本的降低。另外，在本發(fā)明中，多個(gè)要素“從同一層形成”是指，通過選擇性除去公共的膜體(不論是單層還是多層)，由同一工序形成多個(gè)要素，不論各要素是相互分離還是連接在一起。

在本發(fā)明具體的方式中，設(shè)置有根據(jù)選擇信號(hào)而變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)或者截止?fàn)顟B(tài)的選擇晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極經(jīng)由變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)的選擇晶體管而被設(shè)定在從數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)信號(hào)所對(duì)應(yīng)的電位，選擇晶體管隔著電容元件配置在與驅(qū)動(dòng)晶體管相反的一側(cè)。并且，在更加優(yōu)選的方式中，選擇晶體管的半導(dǎo)體層與第二電極連接(例如半導(dǎo)體層41、42及43)，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極的電位根據(jù)基于數(shù)據(jù)信號(hào)的供給而引起的第二電極的電位變動(dòng)量而設(shè)定(基于電容元件的電容耦合)。在該方式中，由于選擇晶體管的半導(dǎo)體層與第二電極連接而形成，所以，與分別由不同層形成的構(gòu)造相比，可實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)單化和制造成本的降低。